[电子] 硅衬底
The insulating layer is positioned on a first surface of the silicon substrate.
该绝缘层位于该硅基材的第一表面。
The silicon substrate also can be doped with proper carbon, nitrogen or oxygen, etc.
硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。
These Q values are limited by the conductor resistance and eddy current loss in the silicon substrate.
这些Q值受到导体电阻和硅衬底的涡流损耗的限制。
For example, as shown in FIG. 8a, an oxide layer 810 optionally is patterned on a silicon substrate 820.
例如，如图8a所示，氧化层810选择性地在硅衬底820上形成图案。
In addition, the buffer layer can mitigate parallel conduction issues between transistor devices and the silicon substrate.
此外，缓冲层可以减少晶体管之间的设备和硅衬底平行的传导问题。
|silicon base;[电子]硅衬底
"硅基板（silicon substrate）"是半导体工业中的核心材料，指以单晶硅或多晶硅为主体构成的物理基底。其作用是为集成电路、光电器件等提供机械支撑和电学性能基础。以下是详细解释：
基础定义与结构特性
硅基板通常由高纯度硅（纯度≥99.9999%）通过柴可拉斯基法（Czochralski method）制成单晶结构。这种晶格排列的周期性使其具备优异的载流子迁移率（electron mobility），典型值可达1500 cm²/(V·s)，是砷化镓材料的3倍以上。晶体缺陷密度需控制在每平方厘米10³个以下，确保器件可靠性（参考：IEEE Electron Device Letters）。
主要应用领域
在CMOS集成电路中，硅基板作为MOSFET的载体，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层；在MEMS传感器中，其各向异性蚀刻特性被用于制造微结构；光伏行业则利用其1.12eV的带隙实现太阳光吸收（数据来源：美国半导体行业协会官网）。
物理参数标准
主流硅基板厚度为725±25μm，直径涵盖100mm（4英寸）至300mm（12英寸）规格。表面粗糙度要求低于0.2nm RMS值，热膨胀系数为2.6×10⁻⁶/℃（参考：《半导体制造技术导论》第3版，Wiley出版社）。
制造工艺中的分类
"Silicon substrate" 是半导体和微电子领域的重要术语，具体解释如下：
Silicon（硅）
一种化学元素（符号 Si），属于非金属，地壳中含量第二丰富的元素。因其半导体特性，被广泛用于制造芯片、太阳能电池等电子元件。
Substrate（衬底/基底）
指承载其他材料或元件的基础层。在集成电路中，通常指晶圆（wafer）或承载电子元件的底层材料。
Silicon substrate（硅衬底）
指以硅材料制成的基底，用于制造半导体器件（如晶体管、集成电路）。它是芯片制造的物理载体，通过在其表面沉积、刻蚀等工艺形成电路结构。
权威资料来源：IEEE 电子学术期刊、半导体制造手册。
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