反向偏壓；反向偏置的
Zero adjustment function, forward adjust is forward biased, reverse adjust is reverse biased.
零點調整功能，順時針調整可以偏負，逆時針調整可以偏正。
In typical operation, the emitter-base junction is forward biased and the base-collector junction is reverse biased.
在正常工作中，發射結正向偏置，基集電結反向偏置。
When the diode is reverse biased, only a negligibly small leakage current flows through the device until the reverse breakdown voltage is reached.
當二極管反向偏置時，僅有很小的、可忽略的漏電流流過，除非是達到反向擊穿電壓。
These reverse-biased photodiodes discharge a capacitor at a rate proportional to the photon flux.
這些反偏壓發電二極管在一種均衡的速率下釋放一個電容器給光子通量。
The collector junction biased in the reverse direction.
集電結是反向編置。
反向偏置（reverse biased）是半導體器件領域的核心概念，指在PN結或二極管兩端施加外部電壓時，使P型半導體接負極、N型半導體接正極的工作狀态。該狀态下，耗盡層寬度增大，多數載流子（空穴和電子）被電場力驅離結區，形成高阻抗特性，僅存在由少數載流子運動産生的微小反向飽和電流（納安級）。
根據美國麻省理工學院《微電子器件與電路》教材的闡述，反向偏置的物理機制包含三個關鍵過程：
國際電氣電子工程師協會（IEEE）發布的《半導體器件術語标準》指出，反向偏置狀态下的典型應用包括：
英國劍橋大學卡文迪許實驗室的研究數據顯示，矽基二極管在反向偏置時的洩漏電流密度通常低于1nA/cm²（室溫條件），該數值隨溫度每升高10℃呈指數級增長。這種特性使得反向偏置器件在低功耗電路設計中具有重要應用價值。
“Reverse biased”是一個電子學術語，主要用于描述電子元件（如二極管、晶體管）的電壓施加狀态。以下是詳細解釋：
“Reverse biased”指在電子元件上施加反向電壓，即正極接負極、負極接正極，導緻元件無法正常導通電流的狀态。
例如：在二極管中，反向偏置時僅有極小漏電流（理想情況下截止）。
反向偏壓下，PN結的耗盡層變寬，形成高電阻區，阻礙多數載流子擴散，僅允許少數載流子微小電流通過。
Reverse biased是電子元件在反向電壓下截止或高阻态的關鍵狀态，廣泛應用于電路控制和保護設計中。
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