反向偏压；反向偏置的
Zero adjustment function, forward adjust is forward biased, reverse adjust is reverse biased.
零点调整功能，顺时针调整可以偏负，逆时针调整可以偏正。
In typical operation, the emitter-base junction is forward biased and the base-collector junction is reverse biased.
在正常工作中，发射结正向偏置，基集电结反向偏置。
When the diode is reverse biased, only a negligibly small leakage current flows through the device until the reverse breakdown voltage is reached.
当二极管反向偏置时，仅有很小的、可忽略的漏电流流过，除非是达到反向击穿电压。
These reverse-biased photodiodes discharge a capacitor at a rate proportional to the photon flux.
这些反偏压发电二极管在一种均衡的速率下释放一个电容器给光子通量。
The collector junction biased in the reverse direction.
集电结是反向编置。
反向偏置（reverse biased）是半导体器件领域的核心概念，指在PN结或二极管两端施加外部电压时，使P型半导体接负极、N型半导体接正极的工作状态。该状态下，耗尽层宽度增大，多数载流子（空穴和电子）被电场力驱离结区，形成高阻抗特性，仅存在由少数载流子运动产生的微小反向饱和电流（纳安级）。
根据美国麻省理工学院《微电子器件与电路》教材的阐述，反向偏置的物理机制包含三个关键过程：
国际电气电子工程师协会（IEEE）发布的《半导体器件术语标准》指出，反向偏置状态下的典型应用包括：
英国剑桥大学卡文迪许实验室的研究数据显示，硅基二极管在反向偏置时的泄漏电流密度通常低于1nA/cm²（室温条件），该数值随温度每升高10℃呈指数级增长。这种特性使得反向偏置器件在低功耗电路设计中具有重要应用价值。
“Reverse biased”是一个电子学术语，主要用于描述电子元件（如二极管、晶体管）的电压施加状态。以下是详细解释：
“Reverse biased”指在电子元件上施加反向电压，即正极接负极、负极接正极，导致元件无法正常导通电流的状态。
例如：在二极管中，反向偏置时仅有极小漏电流（理想情况下截止）。
反向偏压下，PN结的耗尽层变宽，形成高电阻区，阻碍多数载流子扩散，仅允许少数载流子微小电流通过。
Reverse biased是电子元件在反向电压下截止或高阻态的关键状态，广泛应用于电路控制和保护设计中。
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