v. 攤平（空間曲線平面化）；使……平整，使……平滑
Portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
所述氧化層的部分被移除，以使所述溝槽填充的氧化層作為第一多晶矽層基本平面化。
Through a CMP process, portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
利用一化學機械研磨制程，移除該氧化 物層的部分區域，以使該填滿溝槽的氧化物層與該第一多晶矽層 大體上齊平。
Planarize（平面化）是一個工程術語，尤其在半導體制造和微電子領域至關重要。它指的是通過特定的工藝技術，使原本不平坦或不規則的表面變得平坦、光滑的過程。其核心目标是消除材料表面的高低起伏、台階或凹陷，獲得一個高度均勻的平面。
在半導體制造中的核心應用：化學機械抛光 (CMP)： 這是實現晶圓表面Planarize最主流和最關鍵的工藝。在芯片制造的多層互連結構中，每沉積一層新的材料（如金屬鎢用于通孔填充、銅用于布線、或絕緣介質）後，表面都會變得不平整。CMP 工藝結合化學腐蝕和機械研磨的作用，選擇性地去除高處的材料，最終使整個晶圓表面達到全局平坦化（Global Planarization）。這對于後續光刻工藝（要求極平坦的表面才能精确成像微小圖形）和構建多層結構至關重要。沒有有效的Planarize，現代高密度、多層互連的集成電路制造将無法實現。 (Lam Research Corporation - "Chemical Mechanical Planarization (CMP) Overview")
在微電子封裝與MEMS中的意義： 在芯片封裝領域，Planarize技術同樣重要。例如，在晶圓級封裝(WLP)或扇出型封裝中，需要對再布線層(RDL)、模塑料或光刻膠等材料進行平坦化處理，以确保後續工藝步驟（如光刻、鍍銅、植球）的精度和可靠性。在微機電系統(MEMS)制造中，器件結構通常涉及多層薄膜沉積和刻蝕，表面平坦化對于保證器件的性能、可靠性和成品率也非常關鍵。 (IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology - "Planarization Processes for Advanced Packaging")
技術目标與重要性：
Planarize（平面化）是微電子制造中不可或缺的關鍵工藝步驟，特指通過各種技術手段（尤其是CMP）将非平面表面處理成高度平坦的過程。它解決了多層結構制造中由表面起伏帶來的技術難題，是确保先進半導體器件高性能、高密度、高可靠性的基礎。
"Planarize"（動詞）指通過特定技術或工藝使物體表面變得平坦或平面化的過程，常見于以下專業領域：
半導體制造
通過化學機械抛光（CMP）等技術消除晶圓表面的凹凸不平，确保後續電路層的精準堆疊（如芯片制造中多層金屬互連的平整處理）。
3D建模與圖形學
将三維結構投影或簡化成二維平面，用于地圖繪制或計算機圖形渲染。
材料科學
在塗層或薄膜工藝中，通過沉積後處理（如退火）減少材料表面的粗糙度。
該詞由"planar"（平面）加動詞後綴"-ize"構成，字面意為“使平面化”。由于缺乏具體上下文，建議結合領域術語進一步确認其精确含義。
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