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metalization是什麼意思,metalization的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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常用詞典

  • n. 金屬化;金屬鍍層

  • 例句

  • The metalization process is used to chrome plate plastic for a variety of USES.

    這一金屬鍍層過程對鉻掩模塑料有非常廣泛的作用。

  • 專業解析

    在電子工程和半導體制造領域,metalization(金屬化) 是一個核心工藝步驟,指在半導體器件(如集成電路芯片)的絕緣層表面或特定區域沉積一層導電金屬薄膜,并形成特定互連圖形的過程。其主要目的是為晶體管、電阻、電容等元器件之間建立導電路徑,實現電信號的傳輸和連接。

    其核心含義和關鍵點包括:

    1. 形成互連結構:

      • 這是金屬化的首要功能。通過在芯片表面沉積金屬層并光刻刻蝕出精細圖形,将芯片上各個獨立的元器件(源極、漏極、栅極等)按照電路設計要求連接起來,構成完整的電路功能。這相當于芯片内部的“布線”。
    2. 材料選擇:

      • 常用的金屬化材料需要具備低電阻率(減小信號傳輸損耗)、良好的附着性(與下層材料結合牢固)、易于沉積和圖形化、抗電遷移能力強(在高電流密度下不易斷裂)等特性。
      • 曆史上鋁(Al)及其合金(如Al-Si, Al-Cu)是最主流的金屬化材料。隨着技術發展,銅(Cu)因其更低的電阻率和更好的抗電遷移性能,在先進工藝節點中已成為主流(通常需要搭配擴散阻擋層如Ta/TaN)。 其他材料如鎢(W)常用于接觸孔填充(接觸塞)。
    3. 工藝技術:

      • 金屬薄膜的沉積通常采用物理氣相沉積(PVD,如濺射)或化學氣相沉積(CVD)技術。
      • 形成互連圖形則需要結合光刻(Photolithography)和刻蝕(Etching,幹法刻蝕為主)工藝。先塗覆光刻膠、曝光顯影形成圖形掩模,然後刻蝕掉未被掩模保護的金屬,最後去除光刻膠,得到所需的金屬互連線。
    4. 多層結構:

      • 現代集成電路極其複雜,單層金屬布線無法滿足連接需求。因此需要采用多層金屬化(Multi-Level Metalization, MLM) 技術。在相鄰金屬層之間沉積絕緣層(介質層,如SiO₂或低k介質),并通過通孔(Via) 實現上下層金屬之間的垂直互連。通孔填充通常使用鎢或銅。
    5. 關鍵挑戰:

      • 階梯覆蓋(Step Coverage): 金屬需要在有高低起伏的表面(如前層金屬圖形或接觸孔)上均勻覆蓋,避免斷裂或過薄。
      • 電遷移(Electromigration): 電流流過金屬導線時,電子動量傳遞可能導緻金屬原子遷移,最終形成空洞(斷路)或小丘(短路),是影響互連線可靠性的主要因素。
      • 寄生效應: 隨着線寬縮小和密度增加,金屬線間的寄生電容和電阻(RC延遲)成為限制芯片速度的關鍵因素,推動了對低電阻率金屬(銅)和低介電常數(低k)介質材料的需求。
      • 接觸電阻(Contact Resistance): 金屬與半導體(如矽)接觸處的電阻需要盡量降低,以确保信號有效傳輸。

    Metalization是半導體制造中構建芯片内部“神經系統”的關鍵工藝,涉及在絕緣基底上沉積、圖形化導電金屬層,以形成連接數百萬乃至數十億晶體管的互連網絡。其材料選擇、工藝實現和多層結構設計直接決定了芯片的性能、功耗和可靠性。

    權威參考來源:

    網絡擴展資料

    metalization(或拼寫為metallization)是一個技術術語,主要含義和用法如下:

    1.基本定義

    2.翻譯差異

    3.應用領域

    4.相關詞彙

    5.發音與拼寫

    若需了解具體工藝或行業标準,建議參考材料科學或電子工程領域的專業資料。

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