
n. 儲存管
n.|storage tube;儲存管
由于"memotron"并非廣泛認可的英語詞彙,且未在權威詞典或專業文獻中收錄,其定義需結合技術史與構詞法分析。以下是基于電子工程史和構詞邏輯的兩種解釋方向:
部分文獻顯示該詞可能指向記憶電阻器(Memristor)的概念雛形。這一術語由華裔科學家蔡少棠(Leon Chua)于1971年首次提出,指代除電阻、電容、電感外的第四種基本電路元件,其電阻值隨流經電荷量變化而改變,具備"記憶"過往電流的特性。
技術原理
憶阻器的狀态方程可表示為:
$$ begin{align} M(q) &= frac{dvarphi}{dq} v(t) &= M(q(t)) cdot i(t) end{align} $$ 其中 $M$ 為憶阻值,$varphi$ 為磁通量,$q$ 為電荷量。該特性使其成為非易失性存儲器和類腦計算的關鍵元件。
應用領域
來源:
- 蔡少棠原始論文 Memristor—The Missing Circuit Element(IEEE Transactions on Circuit Theory, 1971)
- 惠普實驗室憶阻器研究報告(Nature, 2008)
1950年代美國軍事電子設備中曾出現"Mnemotron" 品牌名(常被誤寫為Memotron),主要用于兩類裝置:
這類設備名稱源自希臘詞根 mneme(記憶)+ tron(裝置),現已被半導體技術淘汰。
來源:
- 《計算機曆史年鑒》(Computer History Museum 檔案)
- 《電子工程史》期刊(IEEE History Center)
當前"memotron"的規範術語應為憶阻器(Memristor)。該技術被列入國際半導體技術路線圖(IRDS),未來可能重塑存儲與計算架構。建議在學術文獻中使用标準術語以避免歧義。
"memotron" 的正确拼寫可能存在混淆。以下是兩個相關詞的詳細解釋:
Memotron(正确拼寫)
Matron(可能存在的拼寫混淆)
若您查詢的是數字工具,建議通過微軟商店獲取Memotron的官方信息;若需了解傳統詞彙,可參考權威詞典對"matron"的詳細釋義。
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