
n. 储存管
n.|storage tube;储存管
由于"memotron"并非广泛认可的英语词汇,且未在权威词典或专业文献中收录,其定义需结合技术史与构词法分析。以下是基于电子工程史和构词逻辑的两种解释方向:
部分文献显示该词可能指向记忆电阻器(Memristor)的概念雏形。这一术语由华裔科学家蔡少棠(Leon Chua)于1971年首次提出,指代除电阻、电容、电感外的第四种基本电路元件,其电阻值随流经电荷量变化而改变,具备"记忆"过往电流的特性。
技术原理
忆阻器的状态方程可表示为:
$$ begin{align} M(q) &= frac{dvarphi}{dq} v(t) &= M(q(t)) cdot i(t) end{align} $$ 其中 $M$ 为忆阻值,$varphi$ 为磁通量,$q$ 为电荷量。该特性使其成为非易失性存储器和类脑计算的关键元件。
应用领域
来源:
- 蔡少棠原始论文 Memristor—The Missing Circuit Element(IEEE Transactions on Circuit Theory, 1971)
- 惠普实验室忆阻器研究报告(Nature, 2008)
1950年代美国军事电子设备中曾出现"Mnemotron" 品牌名(常被误写为Memotron),主要用于两类装置:
这类设备名称源自希腊词根 mneme(记忆)+ tron(装置),现已被半导体技术淘汰。
来源:
- 《计算机历史年鉴》(Computer History Museum 档案)
- 《电子工程史》期刊(IEEE History Center)
当前"memotron"的规范术语应为忆阻器(Memristor)。该技术被列入国际半导体技术路线图(IRDS),未来可能重塑存储与计算架构。建议在学术文献中使用标准术语以避免歧义。
"memotron" 的正确拼写可能存在混淆。以下是两个相关词的详细解释:
Memotron(正确拼写)
Matron(可能存在的拼写混淆)
若您查询的是数字工具,建议通过微软商店获取Memotron的官方信息;若需了解传统词汇,可参考权威词典对"matron"的详细释义。
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