絕緣栅雙極型晶體管
Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
絕緣栅雙極晶體管。 N溝道增強模式，高速開關。
An insulated gate bipolar transistor (IGBT) device characterization tool allows users to quickly and accurately create average and dynamic models of power semiconductor devices.
絕緣栅雙極晶體管（IGBT）器件描述工具，使用戶可以快速準确地創建功率半導體器件的平均和動态模型。
Pulse width modulated (PWM) inverter can generate common-mode voltage, which can produce charge-discharge current at the distant of every insulated gate bipolar transistor (IGBT) high-speed switching.
pWM逆變器在應用中會産生共模電壓， 共模電壓在IGBT的高速開關期間産生充放電電流。
The high speed insulated gate bipolar transistor(IGBT) transport model is derived by ambipolar transport theory in this paper.
借助雙極傳輸理論導出了高速絕緣栅雙極晶體管（IGBT）傳輸特性的物理模型。
An assistant 380V AC-input and multi-output switching power supply is introduced which is used in thick-film driving circuits for large-power IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
介紹了一種用于大功率IGBT厚膜驅動電路的380 V系統輸入、多路輸出輔助開關電源。
Low running costs with a high operating efficiency. SENDON GENIUS UPS uses IGBT(insulated gate bipolar transistor) technology in the inverter to achieve its high efficiency…
采用IGBT（絕緣栅雙極性晶體管）技術的高效率的設計，從而有效的降低了運行成本。
In this paper a new equivalent circuit model is constructed within a multi-MOS model for simulation of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) current sensors.
本文建構了一個結合多捆MOS的新等效電路模型來模拟絕緣閘極雙載子電晶體（IGBT）電流感應器。
The reason of appearing peak voltage in IGBT(insulated gate bipolar transistor)absorber is discussed. Absorbers corrcsponding to different powers are proposed for the 3rd generation IGBT.
探讨了IGBT功率電路尖峰電壓産生的原因，并針對第三代IGBT，給出了適應不同功率的吸收電路。
A new network model for the complementary lateral insulated-gate bipolar transistor CLIGBT is presented in this paper.
本文提出互補橫向絕緣栅雙極晶體管CLIGBT的一種網絡模型。
The paper expounds MOS system power element's characters, insulated gate bipolar transistor and integration type power element's technology and its applications.
本文闡述了MOS系列功率器件的特性、絕緣栅雙極型晶體管和集成型功率器件技術，以及它們的應用。
The system adopted insulated gate bipolar transistor (IGBT) as its main circuit and pulse-width modulating (PWM) technology.
該系統采用IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）器件，PWM（脈寬調制）控制技術。
A method to simulate the characteristics of insulated gate bipolar transistor(IGBT) with PSPICE program is proposed in this paper.
提出了一種用PSPICE程式模拟絕緣栅雙極型晶體管（IGBT）特性的方法。
This paper has designed a inverter power supply of volume 2KVA, working frequency 20KHZ. , based on that has analyzed the characteristic of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
本文在分析了IGBT（絕緣栅雙極晶體管）特性的基礎上，設計了一台容量為2KVA、頻率為20KHZ的高頻逆變電源。
To enlarge output power of power electronic system based on Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT), a number of IGBT modules or power electronic circuits can be paralleled.
為了擴大電力電子裝置的輸出容量，可以對IGBT器件或者電力電子線路進行并聯。
Provided is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) which occupies a small area and in which a thermal breakdown is suppressed.
本發明提供一種絕緣栅雙極晶體管（IGBT），所述絕緣栅雙極晶體管占據小面積并且抑制熱擊穿。
Phase-shifted FB-ZVZCS-PWM converter solves the problem mentioned above, and insulated gate bipolar transistor(IGBT) is fit for the lag-arm.
PWM變換器解決了滞後臂軟開關負載範圍問題，滞後臂較適合用絕緣栅極雙極型晶體管（IGBT）。
This paper introduces the Insulated gate bipolar transistor (IGBT) inverter for arc welding. The prin(?)
介紹了采用絕緣門極雙極晶體管（IGBT）作為開關元件的弧焊逆變器。
Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) as controllable switch, has been applied widely.
絕緣栅雙極二級管（IGBT）作為一種可控開關，獲得了廣泛應用。
絕緣栅雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種結合金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）特性的複合型功率半導體器件。其核心結構包含三層半導體材料（N-P-N）和附加的P+層，通過栅極的絕緣層（通常為二氧化矽）實現電壓控制。
該器件的工作原理基于電導調制效應：當栅極施加正向電壓時，MOSFET部分導通，向N-漂移區注入載流子，顯著降低導通電阻；關斷時通過載流子複合快速恢複阻斷狀态。這種特性使其兼具MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通損耗優勢。
在工業應用方面，IGBT廣泛應用于：
根據國際電氣電子工程師協會（IEEE）的測試數據，現代IGBT模塊的開關頻率可達150kHz，阻斷電壓超過6.5kV，工作溫度範圍擴展至-40℃至175℃。美國能源部的研究表明，采用IGBT的電力電子系統可将能源轉換效率提升至98%以上。
（參考來源：IEEE Xplore數字圖書館、美國能源部技術報告、英飛淩科技應用手冊、德州儀器功率器件白皮書）
絕緣栅雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種複合型功率半導體器件，以下是其術語的詳細解釋：
絕緣栅（Insulated Gate）
指器件的控制極（栅極）與主電路之間通過絕緣層（如二氧化矽）隔離。這種設計使控制信號與功率電路分離，兼具高輸入阻抗和低驅動電流的特點。
雙極（Bipolar）
指器件工作時同時利用電子和空穴兩種載流子導電（類似雙極型晶體管BJT），因此能承受高電壓和大電流。
晶體管（Transistor）
廣義指具有放大和開關功能的半導體器件。IGBT作為三端器件，包含集電極（C）、發射極（E）和栅極（G）。
IGBT結合了MOSFET的栅極控制特性和BJT的低導通損耗優勢。其結構可看作由MOSFET驅動雙極型晶體管的複合體：
| 特性 | MOSFET | BJT | IGBT |
|---|---|---|---|
| 驅動方式 | 電壓驅動 | 電流驅動 | 電壓驅動 |
| 開關速度 | 快 | 慢 | 中高速 |
| 耐壓能力 | 中低 | 高 | 高 |
| 導通損耗 | 高（壓降大） | 低 | 低 |
| 適用場景 | 高頻低功率 | 低頻高功率 | 中高頻高功率 |
IGBT憑借“絕緣栅控制+雙極導電”的複合設計，成為現代電力電子系統的核心器件，平衡了效率、功率與成本。
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