绝缘栅双极型晶体管
Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
绝缘栅双极晶体管。 N沟道增强模式，高速开关。
An insulated gate bipolar transistor (IGBT) device characterization tool allows users to quickly and accurately create average and dynamic models of power semiconductor devices.
绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件描述工具，使用户可以快速准确地创建功率半导体器件的平均和动态模型。
Pulse width modulated (PWM) inverter can generate common-mode voltage, which can produce charge-discharge current at the distant of every insulated gate bipolar transistor (IGBT) high-speed switching.
pWM逆变器在应用中会产生共模电压， 共模电压在IGBT的高速开关期间产生充放电电流。
The high speed insulated gate bipolar transistor(IGBT) transport model is derived by ambipolar transport theory in this paper.
借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（IGBT）传输特性的物理模型。
An assistant 380V AC-input and multi-output switching power supply is introduced which is used in thick-film driving circuits for large-power IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
介绍了一种用于大功率IGBT厚膜驱动电路的380 V系统输入、多路输出辅助开关电源。
Low running costs with a high operating efficiency. SENDON GENIUS UPS uses IGBT(insulated gate bipolar transistor) technology in the inverter to achieve its high efficiency…
采用IGBT（绝缘栅双极性晶体管）技术的高效率的设计，从而有效的降低了运行成本。
In this paper a new equivalent circuit model is constructed within a multi-MOS model for simulation of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) current sensors.
本文建构了一个结合多捆MOS的新等效电路模型来模拟绝缘闸极双载子电晶体（IGBT）电流感应器。
The reason of appearing peak voltage in IGBT(insulated gate bipolar transistor)absorber is discussed. Absorbers corrcsponding to different powers are proposed for the 3rd generation IGBT.
探讨了IGBT功率电路尖峰电压产生的原因，并针对第三代IGBT，给出了适应不同功率的吸收电路。
A new network model for the complementary lateral insulated-gate bipolar transistor CLIGBT is presented in this paper.
本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型。
The paper expounds MOS system power element's characters, insulated gate bipolar transistor and integration type power element's technology and its applications.
本文阐述了MOS系列功率器件的特性、绝缘栅双极型晶体管和集成型功率器件技术，以及它们的应用。
The system adopted insulated gate bipolar transistor (IGBT) as its main circuit and pulse-width modulating (PWM) technology.
该系统采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，PWM（脉宽调制）控制技术。
A method to simulate the characteristics of insulated gate bipolar transistor(IGBT) with PSPICE program is proposed in this paper.
提出了一种用PSPICE程序模拟绝缘栅双极型晶体管（IGBT）特性的方法。
This paper has designed a inverter power supply of volume 2KVA, working frequency 20KHZ. , based on that has analyzed the characteristic of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
本文在分析了IGBT（绝缘栅双极晶体管）特性的基础上，设计了一台容量为2KVA、频率为20KHZ的高频逆变电源。
To enlarge output power of power electronic system based on Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT), a number of IGBT modules or power electronic circuits can be paralleled.
为了扩大电力电子装置的输出容量，可以对IGBT器件或者电力电子线路进行并联。
Provided is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) which occupies a small area and in which a thermal breakdown is suppressed.
本发明提供一种绝缘栅双极晶体管（IGBT），所述绝缘栅双极晶体管占据小面积并且抑制热击穿。
Phase-shifted FB-ZVZCS-PWM converter solves the problem mentioned above, and insulated gate bipolar transistor(IGBT) is fit for the lag-arm.
PWM变换器解决了滞后臂软开关负载范围问题，滞后臂较适合用绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）。
This paper introduces the Insulated gate bipolar transistor (IGBT) inverter for arc welding. The prin(?)
介绍了采用绝缘门极双极晶体管（IGBT）作为开关元件的弧焊逆变器。
Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) as controllable switch, has been applied widely.
绝缘栅双极二级管（IGBT）作为一种可控开关，获得了广泛应用。
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种结合金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）特性的复合型功率半导体器件。其核心结构包含三层半导体材料（N-P-N）和附加的P+层，通过栅极的绝缘层（通常为二氧化硅）实现电压控制。
该器件的工作原理基于电导调制效应：当栅极施加正向电压时，MOSFET部分导通，向N-漂移区注入载流子，显著降低导通电阻；关断时通过载流子复合快速恢复阻断状态。这种特性使其兼具MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通损耗优势。
在工业应用方面，IGBT广泛应用于：
根据国际电气电子工程师协会（IEEE）的测试数据，现代IGBT模块的开关频率可达150kHz，阻断电压超过6.5kV，工作温度范围扩展至-40℃至175℃。美国能源部的研究表明，采用IGBT的电力电子系统可将能源转换效率提升至98%以上。
（参考来源：IEEE Xplore数字图书馆、美国能源部技术报告、英飞凌科技应用手册、德州仪器功率器件白皮书）
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种复合型功率半导体器件，以下是其术语的详细解释：
绝缘栅（Insulated Gate）
指器件的控制极（栅极）与主电路之间通过绝缘层（如二氧化硅）隔离。这种设计使控制信号与功率电路分离，兼具高输入阻抗和低驱动电流的特点。
双极（Bipolar）
指器件工作时同时利用电子和空穴两种载流子导电（类似双极型晶体管BJT），因此能承受高电压和大电流。
晶体管（Transistor）
广义指具有放大和开关功能的半导体器件。IGBT作为三端器件，包含集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
IGBT结合了MOSFET的栅极控制特性和BJT的低导通损耗优势。其结构可看作由MOSFET驱动双极型晶体管的复合体：
| 特性 | MOSFET | BJT | IGBT |
|---|---|---|---|
| 驱动方式 | 电压驱动 | 电流驱动 | 电压驱动 |
| 开关速度 | 快 | 慢 | 中高速 |
| 耐压能力 | 中低 | 高 | 高 |
| 导通损耗 | 高（压降大） | 低 | 低 |
| 适用场景 | 高频低功率 | 低频高功率 | 中高频高功率 |
IGBT凭借“绝缘栅控制+双极导电”的复合设计，成为现代电力电子系统的核心器件，平衡了效率、功率与成本。
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