
英:/',hetərəʊ'strʌktʃə/ 美:/'ˌhetəroʊˈstrʌktʃər/
n. [電子] 異質結構
The polaron ground state in asymmetric double heterostructure (ADHS) is stu***d.
研究了半導體非對稱雙異質結(ADHS)中,極化子的基态性質。
Heterostructure is the most essential and important structure of semiconductor lasers.
異質結構是半導體激光器最基本也是最重要的結構。
Laser Diodes (contd.) : In-plane lasers: double heterostructure, quantum well, multi-contact, surface emitting.
平面雷射:雙異質結構,量子井,多重電極,面發射。
The form of the refractive index variation in waveguide in separate confinement heterostructure (SCH) affects directly the…
分别限制異質結構,波導層折射率的變化形式不同,直接影響輸出光的遠場分布。
The multi valley mixing in band mixing quantum well and the heterostructure intervalley transferred electron effect are described in this paper.
介紹了能帶混合量子阱中的多能谷混合和異質谷間轉移電子效應。
異質結(Heterostructure) 是指由兩種或兩種以上具有不同物理性質(尤其是不同的帶隙寬度和電子親和能)的半導體材料,在原子尺度上緊密接觸、外延生長形成的複合結構界面。這種結構是現代半導體器件物理與光電子技術的核心基礎。
其核心原理與特性包括:
能帶工程(Bandgap Engineering):異質結的關鍵在于不同材料界面處的能帶排列(能帶偏移)。根據材料組合,異質結可分為I型(跨立型)、II型(交錯型)和III型(破隙型)。這種人為設計的能帶不連續性(導帶偏移 ΔEc 和價帶偏移 ΔEv)為載流子(電子和空穴)提供了可控的勢壘或勢阱,是器件功能實現的基礎。例如,在I型異質結中,一種材料的帶隙完全包含在另一種材料的帶隙内,有利于将電子和空穴限制在同一區域。
量子限制效應(Quantum Confinement):當異質結中較窄帶隙材料的厚度減小到納米尺度(如量子阱、量子線、量子點)時,載流子的運動在空間上受到限制,導緻其能量狀态量子化,顯著改變材料的電學和光學性質。這是半導體激光器、高效發光二極管(LED)和高電子遷移率晶體管(HEMT)工作的物理基礎。
調制摻雜(Modulation Doping):在異質結界面的寬帶隙材料一側進行摻雜,提供自由載流子(如電子),這些載流子會遷移到相鄰的未摻雜窄帶隙材料中。由于空間分離,電離雜質散射大大減少,使得窄帶隙材料中的載流子具有極高的遷移率。這是HEMT(高電子遷移率晶體管)的核心工作原理,對高頻、高速電子器件至關重要。
主要應用領域:
參考文獻:
heterostructure(異質結構) 的詳細解釋如下:
heterostructure 是由兩種或多種不同材料通過特定方式組合形成的複合結構。其核心特征是材料間的物理或化學性質差異(如能帶結構、晶格常數等),這種差異可調控電子、光子等載流子的行為。
如需更深入的技術細節,可參考半導體物理或材料科學相關文獻。
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