英:/',hetərəʊ'strʌktʃə/ 美:/'ˌhetəroʊˈstrʌktʃər/
n. [电子] 异质结构
The polaron ground state in asymmetric double heterostructure (ADHS) is stu***d.
研究了半导体非对称双异质结(ADHS)中，极化子的基态性质。
Heterostructure is the most essential and important structure of semiconductor lasers.
异质结构是半导体激光器最基本也是最重要的结构。
Laser Diodes (contd.) : In-plane lasers: double heterostructure, quantum well, multi-contact, surface emitting.
平面雷射：双异质结构，量子井，多重电极，面发射。
The form of the refractive index variation in waveguide in separate confinement heterostructure (SCH) affects directly the…
分别限制异质结构，波导层折射率的变化形式不同，直接影响输出光的远场分布。
The multi valley mixing in band mixing quantum well and the heterostructure intervalley transferred electron effect are described in this paper.
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。
异质结（Heterostructure） 是指由两种或两种以上具有不同物理性质（尤其是不同的带隙宽度和电子亲和能）的半导体材料，在原子尺度上紧密接触、外延生长形成的复合结构界面。这种结构是现代半导体器件物理与光电子技术的核心基础。
其核心原理与特性包括：
能带工程（Bandgap Engineering）：异质结的关键在于不同材料界面处的能带排列（能带偏移）。根据材料组合，异质结可分为I型（跨立型）、II型（交错型）和III型（破隙型）。这种人为设计的能带不连续性（导带偏移 ΔEc 和价带偏移 ΔEv）为载流子（电子和空穴）提供了可控的势垒或势阱，是器件功能实现的基础。例如，在I型异质结中，一种材料的带隙完全包含在另一种材料的带隙内，有利于将电子和空穴限制在同一区域。
量子限制效应（Quantum Confinement）：当异质结中较窄带隙材料的厚度减小到纳米尺度（如量子阱、量子线、量子点）时，载流子的运动在空间上受到限制，导致其能量状态量子化，显著改变材料的电学和光学性质。这是半导体激光器、高效发光二极管（LED）和高电子迁移率晶体管（HEMT）工作的物理基础。
调制掺杂（Modulation Doping）：在异质结界面的宽带隙材料一侧进行掺杂，提供自由载流子（如电子），这些载流子会迁移到相邻的未掺杂窄带隙材料中。由于空间分离，电离杂质散射大大减少，使得窄带隙材料中的载流子具有极高的迁移率。这是HEMT（高电子迁移率晶体管）的核心工作原理，对高频、高速电子器件至关重要。
主要应用领域：
参考文献：
heterostructure（异质结构） 的详细解释如下：
heterostructure 是由两种或多种不同材料通过特定方式组合形成的复合结构。其核心特征是材料间的物理或化学性质差异（如能带结构、晶格常数等），这种差异可调控电子、光子等载流子的行为。
如需更深入的技术细节，可参考半导体物理或材料科学相关文献。
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