
n. 異質結二極管
heterodiode(異質結二極管)是由兩種不同半導體材料構成的pn結器件,其核心特征在于結區兩側的禁帶寬度、晶格常數等物理參數存在差異。該結構最早由貝爾實驗室在20世紀60年代提出,現廣泛應用于光電子與高頻電子領域。
從技術原理分析,異質結二極管通過能帶工程優化載流子傳輸特性。例如砷化镓(GaAs)與鋁镓砷(AlGaAs)組合時,寬禁帶材料AlGaAs可形成載流子限制層,顯著提升器件的光電轉換效率。這種特性使其成為激光二極管、光電探測器的核心元件(參考:《半導體器件物理》第3章,施敏著)。
在通信系統中,異質結二極管因具備低噪聲、高響應速度等優勢,被5G基站和光纖通信設備廣泛采用。國際電氣與電子工程師協會(IEEE)期刊《電子器件彙刊》2023年的研究指出,基于氮化镓(GaN)的異質結二極管已實現40GHz以上的工作頻率。
“heterodiode”并不是一個标準或廣泛認可的電子學術語,可能是拼寫錯誤或對特定概念的誤寫。根據構詞法分析,“hetero-”表示“異質/不同”,“diode”指二極管,因此可能指代以下兩種常見概念:
若用戶實際想詢問的是heterojunction diode(異質結二極管),其定義如下:
若用戶混淆了“heterodiode”與“heterodyne”(超外差),則涉及通信領域的信號處理技術:
如需更詳細的技術參數或應用案例,請提供上下文或修正術語。
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