
n. 异质结二极管
heterodiode(异质结二极管)是由两种不同半导体材料构成的pn结器件,其核心特征在于结区两侧的禁带宽度、晶格常数等物理参数存在差异。该结构最早由贝尔实验室在20世纪60年代提出,现广泛应用于光电子与高频电子领域。
从技术原理分析,异质结二极管通过能带工程优化载流子传输特性。例如砷化镓(GaAs)与铝镓砷(AlGaAs)组合时,宽禁带材料AlGaAs可形成载流子限制层,显著提升器件的光电转换效率。这种特性使其成为激光二极管、光电探测器的核心元件(参考:《半导体器件物理》第3章,施敏著)。
在通信系统中,异质结二极管因具备低噪声、高响应速度等优势,被5G基站和光纤通信设备广泛采用。国际电气与电子工程师协会(IEEE)期刊《电子器件汇刊》2023年的研究指出,基于氮化镓(GaN)的异质结二极管已实现40GHz以上的工作频率。
“heterodiode”并不是一个标准或广泛认可的电子学术语,可能是拼写错误或对特定概念的误写。根据构词法分析,“hetero-”表示“异质/不同”,“diode”指二极管,因此可能指代以下两种常见概念:
若用户实际想询问的是heterojunction diode(异质结二极管),其定义如下:
若用户混淆了“heterodiode”与“heterodyne”(超外差),则涉及通信领域的信号处理技术:
如需更详细的技术参数或应用案例,请提供上下文或修正术语。
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