epitaxy是什麼意思，epitaxy的意思翻譯、用法、同義詞、例句

epitaxy英标

英:/''epɪtæksɪ/ 美:/'ˈepɪˌtæksi/

詞性

複數 epitaxies

常用詞典

例句

專業解析

外延（Epitaxy） 是一種在單晶襯底（Substrate）表面，沿特定晶向有序生長一層或多層單晶薄膜的材料制備技術。該術語源于希臘語“epi”（意為“之上”）和“taxis”（意為“排列”），形象描述了原子在襯底晶體結構引導下進行定向排列的過程。外延生長的薄膜稱為外延層（Epitaxial Layer），其晶體結構、晶格取向與襯底高度一緻或存在特定關聯。

核心原理與技術分類

1. 晶格匹配與失配

   外延生長的關鍵在于襯底與外延層之間的晶格匹配。理想情況下，兩者晶格常數相近，外延層原子可無縫延續襯底的晶體結構（同質外延）。若晶格常數存在差異（晶格失配），則可能産生應力或位錯，需通過應變層或緩沖層等技術管理失配應力（異質外延）。

2. 主要技術方法

   • 氣相外延（VPE）：通過氣相化學反應在襯底表面沉積單晶層，如矽外延常用氫還原三氯矽烷（SiHCl₃）。
   • 分子束外延（MBE）：在超高真空環境中，将元素或化合物以分子束形式噴射到襯底表面，實現原子級精度控制。
   • 金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）：利用金屬有機化合物前驅體在高溫下分解反應，廣泛用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體（如GaAs、InP）的外延生長。

應用領域與重要性

• 半導體器件制造：外延技術是制備高性能晶體管、激光器、LED的核心工藝。例如，矽外延層可減少襯底雜質對器件的影響，提升集成電路性能；砷化镓（GaAs）外延片用于高頻通信芯片。
• 新型材料開發：通過異質外延實現矽基氮化镓（GaN-on-Si）等複合結構，突破材料物理限制，推動功率電子與光電器件發展。
• 量子結構構築：MBE技術可生長原子級平整的量子阱、超晶格，為量子計算和納米器件研究提供基礎。

技術挑戰與發展

外延工藝需精确控制溫度、壓力、氣流等參數，以抑制缺陷并保證薄膜均勻性。當前研究聚焦于大尺寸晶圓外延、低維材料（如二維半導體）外延生長及人工智能輔助的工藝優化，以支撐下一代電子與光電子器件需求。

參考資料來源：

1. 分子束外延技術原理與應用 - 美國物理聯合會期刊
2. MOCVD在Ⅲ-Ⅴ族半導體外延中的進展 - 材料科學期刊
3. 半導體外延層對器件性能的影響 - IEEE電子器件彙刊
4. 矽基氮化镓異質外延技術綜述 - 應用物理快報

網絡擴展資料

Epitaxy（外延）是晶體學與電子工程領域的重要術語，指在單晶基底上定向生長一層新單晶材料的過程，且新生晶體結構與基底保持一緻。以下是詳細解釋：

核心定義

• 詞義：源自希臘語“epi”（在…之上）和“taxis”（排列），意為晶體在基底上的有序生長。
• 發音：英式音标為/ˈepɪˌtæksi/，美式音标為/ˈepɪˌtæksi/。
• 技術本質：通過控制溫度、壓力等條件，使原子在基底表面按原有晶格結構排列，形成高質量單晶層。

主要技術方法

1. 分子束外延（MBE）：在超高真空環境中，用分子束逐層沉積原子。
2. 液相外延（LPE）：通過溶液在基底表面結晶生長。
3. 氣相外延（VPE）：利用氣體化學反應在基底上沉積晶體層。

應用領域

• 半導體制造：用于生産集成電路、激光二極管等，如氮化镓（GaN）外延層用于LED。
• 光電子器件：如太陽能電池、光電探測器的高效晶體結構制備。
• 納米材料：合成具有特定取向的納米結構。

例句

“移除磊晶基闆後，外延層可直接用于器件加工。”

如需進一步了解具體技術或應用案例，可參考高權威性來源如搜狗百科或專業文獻。

别人正在浏覽的英文單詞...

wristwatchhead-onmake the acquaintance ofdialecticsspurtscuffapprobatebeepdiurnallyentropygeomorphologygloweringschoolhouseshaversdescribed asdigital technologyhead over heelsorganic binderphysical aggressionprice of commoditiesSong of Songsspray lanceusage timecyclopropanedejectedlydogginessdrayageEochoristitesexpansiblelanosterol