n. 電遷移
Electromigration is the movement of metal atoms in the direction of current flow.
電遷移是金屬原子沿着電流方向的移動。
Therefore, the reasons and the influencing factors of IR-drop and electromigration are discussed firstly.
針對這個問題，本文首先介紹了IR壓降和電遷移現象的産生原因及其影響因素。
Electromigration in metal thin film interconnection is one of the important problems for VLSI reliability.
金屬薄膜互連的電遷移現象是VLSI最重要的可靠性問題之一。
So it is very necessary to study the wettability of lead-free solders and electromigration of solder joints.
因此開展低成本無鉛焊料潤濕性和焊點電遷移研究非常有必要。
Two main methods, accelerated lifetime test and drift velocity test, to study electromigration are described.
介紹了研究集成電路互連線電遷移的兩種方法：加速壽命試驗和移動速度試驗。
電遷移（Electromigration）是電子工程領域中的關鍵失效機制，指在集成電路的金屬互連結構中，高電流密度作用下金屬原子因電子動量傳遞發生定向遷移的現象。這一過程會導緻導體材料的局部堆積或空洞形成，最終引發電路斷路或短路故障。
從物理機制分析，電遷移主要由電子風力（electron wind force）驅動，當電流密度超過材料阈值（通常為10⁴~10⁶ A/cm²）時，自由電子與金屬離子間的動量交換迫使離子沿電子流動方向遷移。該現象遵循布萊克方程（Black's equation），其失效時間公式可表示為： $$ MTTF = A cdot J^{-n} cdot e^{E_a/(kT)} $$ 其中J為電流密度，n為經驗常數，E_a為激活能，k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度。
實際工程中，電遷移對半導體器件的可靠性構成嚴重威脅。根據國際半導體技術路線圖（ITRS）數據，先進制程芯片中互連線的電流密度已接近鋁材料的承受極限，這促使行業普遍采用銅互連結合阻擋層技術，将電遷移壽命提升10-100倍。當前研究熱點包括碳納米管互連、自修複合金等新型材料的開發，相關進展已記錄在《IEEE電子器件彙刊》最新實驗報告中。
electromigration 是一個工程和材料科學領域的專業術語，其核心含義是電場作用引起的金屬離子遷移現象。以下是詳細解析：
如需進一步了解工程案例或量化公式（如Black方程），可參考集成電路可靠性相關文獻。
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