n. 电迁移
Electromigration is the movement of metal atoms in the direction of current flow.
电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。
Therefore, the reasons and the influencing factors of IR-drop and electromigration are discussed firstly.
针对这个问题，本文首先介绍了IR压降和电迁移现象的产生原因及其影响因素。
Electromigration in metal thin film interconnection is one of the important problems for VLSI reliability.
金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。
So it is very necessary to study the wettability of lead-free solders and electromigration of solder joints.
因此开展低成本无铅焊料润湿性和焊点电迁移研究非常有必要。
Two main methods, accelerated lifetime test and drift velocity test, to study electromigration are described.
介绍了研究集成电路互连线电迁移的两种方法：加速寿命试验和移动速度试验。
电迁移（Electromigration）是电子工程领域中的关键失效机制，指在集成电路的金属互连结构中，高电流密度作用下金属原子因电子动量传递发生定向迁移的现象。这一过程会导致导体材料的局部堆积或空洞形成，最终引发电路断路或短路故障。
从物理机制分析，电迁移主要由电子风力（electron wind force）驱动，当电流密度超过材料阈值（通常为10⁴~10⁶ A/cm²）时，自由电子与金属离子间的动量交换迫使离子沿电子流动方向迁移。该现象遵循布莱克方程（Black's equation），其失效时间公式可表示为： $$ MTTF = A cdot J^{-n} cdot e^{E_a/(kT)} $$ 其中J为电流密度，n为经验常数，E_a为激活能，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度。
实际工程中，电迁移对半导体器件的可靠性构成严重威胁。根据国际半导体技术路线图（ITRS）数据，先进制程芯片中互连线的电流密度已接近铝材料的承受极限，这促使行业普遍采用铜互连结合阻挡层技术，将电迁移寿命提升10-100倍。当前研究热点包括碳纳米管互连、自修复合金等新型材料的开发，相关进展已记录在《IEEE电子器件汇刊》最新实验报告中。
electromigration 是一个工程和材料科学领域的专业术语，其核心含义是电场作用引起的金属离子迁移现象。以下是详细解析：
如需进一步了解工程案例或量化公式（如Black方程），可参考集成电路可靠性相关文献。
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