化學氣相沉積；化學汽相澱積
Large current hot cathode glow discharge was used for plasma chemical vapor deposition of diamond films. It improved deposition rate and films quality efficiently.
大電流熱陰極輝光放電用于等離子體化學氣相沉積金剛石膜，有效地提高了沉積速率和膜品質。
The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow discharge plasma chemical vapor deposition process was discussed.
研究了在熱陰極輝光放電等離子體化學氣相沉積金剛石膜過程中，熱陰極輝光放電特性與金剛石膜沉積工藝的關系。
After following the chemical vapor deposition and carbonization of carbon-carbon composites in an argon graphite under the protection of heat-treatment, to improve and enhance the material properties.
經過化學氣相沉積和炭化之後的碳一碳複合材料在氩氣的保護下進行高溫石墨化處理，以改善和提高材料性能。
The article has introduced the application and development tendency of techniques of film ****** with chemical vapor deposition in all fields.
本文介紹了化學氣相沉積制膜技術在國民經濟各個領域中的應用及其發展趨勢。
Hot filament chemical vapor deposition is one of the developed ways to deposit the diamond at present.
熱絲法化學氣相沉積金剛石膜是目前已經發展成沉積金剛成熟的方法之一。
A novel passivation technology of porous silicon (PS) surface, i. e. , depositing diamond film on the PS surface by microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPCVD) method, was developed.
提出了一種新穎的多孔矽表面鈍化技術，即采用微波等離子體輔助的化學氣相沉積（MPCVD）方法在多孔矽上沉積金剛石薄膜。
In order to modify the surface properties of the particles, composite particles are prepared by the process of Chemical Vapor Deposition (CVD) in a fluidized bed reactor.
為了對顆粒表面進行改性，在自行設計組裝的流化床反應器中，利用化學氣相沉積法（CVD）制備了不同的複合顆粒。
Material growth is normally real-time monitored by using laser interference curve in the metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) growth system.
金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長系統中通常用激光幹涉曲線對材料生長進行實時監控。
Direct current hot cathode plasma glow discharge chemical vapor deposition (DC-HCPCVD) is a new method to deposit high quality diamond films with high growth rate.
直流熱陰極輝光放電等離子體化學氣相沉積法是我們建立的快速沉積高品質金剛石膜的新方法。
In present work, (100) oriented CVD diamond films with different quality obtained by a hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) technique were used to fabricate radiation detectors.
本工作利用熱絲化學氣相沉積（HFCVD）法獲得了（100）取向不同質量的金剛石薄膜，并制備了CVD金剛石輻射探測器。
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber.
在摻雜P室采用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積（VHF-PECVD）技術，制備了不同矽烷濃度條件下的本征微晶矽薄膜。
The experiment of the deposition of diamond thin films is made on silicon substrate by using microwave plasma chemical vapor deposition(CVD) system.
利用微波等離子體化學氣相沉積（CVD）設備，在矽基片上進行了金剛石薄膜的沉積實驗。
This article introduces processing of plasma chemistry and application of sputter coating and plasma-enhanced chemical vapor deposition in powder metallurgy especially.
介紹了等離子體化學工藝，特别着重介紹了濺射鍍膜與等離子體化學氣相沉積在粉末冶金中的應用。
Polysilicon thin films are deposited by catalytic chemical vapor deposition method. The substrate temperature is 300 ℃ and catalytic hot wire is tungsten filament.
以金屬鎢為催化熱絲，采用熱絲催化化學氣相沉積，在300℃的玻璃襯底上沉積多晶矽薄膜。
In this study we designed and made the preparation equipment of nano-silicon powder by LICVD (laser induced chemical vapor deposition), and introduced the designing thought of key parts.
本研究自行設計制作了激光誘導化學氣相沉積（LICVD）納米矽粉制備設備，并對關鍵部件的設計思路進行了闡述。
Carbon nanotubes in experiments were synthesized by hot filament chemical vapor deposition.
所用的碳納米管是用熱燈絲化學氣相沉積法合成的。
Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD) was a good choice, it provided a super clean, low temperature, low pressure ambient, and controlled thin films' growth precisely.
超高真空化學氣相沉積（UHVCVD）具有超淨的生長環境、能夠在低溫、低壓下生長鍺矽材料，可精确控制薄膜生長等優點。
Polycrystalline silicon thin films were prepared by hot-filament chemical vapor deposition(HFCVD) on glass at low-temperatures.
采用熱絲化學氣相沉積法（HFCVD）在普通玻璃襯底上低溫沉積多晶矽薄膜。
The structure of microcrystalline silicon thin film solar cells prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition, is stu***d.
對甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術制備的微晶矽薄膜太陽電池進行了研究。
This article is about how to use Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition(ECRCVD) method to prepare amorphous silicon nitride(SiN_x)film.
探讨如何用電子回旋共振化學氣相沉積（ECRCVD）設備制備非晶态氮化矽介質膜和光學膜。
Nano-sized silicon films with large area were prepared by normal Low Pressure Chemical Vapor Deposition method.
利用普通低壓化學氣相沉積技術在玻璃襯底上制備了大面積的納米矽薄膜。
The paper focused on the research of gas flow automatic control method of the MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition).
研究了金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）系統中氣體流量的自動控制方法。
Lectures and laboratory sessions focus on basic processing techniques such as diffusion, oxidation, photolithography, chemical vapor deposition, and more.
課堂講授和實驗課重點介紹了基本的工藝技術，如擴散、氧化、光刻、化學汽相澱積以及其它。
Diamond film was coated by the hot filament chemical vapor deposition method.
在熱絲化學氣相沉積裝置中，制備金剛石薄膜。
We stu***d the relationship between the RF power, the chamber pressure and the film stress for deposited the silicon nitride film by Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition(PECVD).
研究了在等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）法制備氮化矽薄膜時，射頻功率和腔室壓力對氮化矽薄膜應力的影響以及應力與沉積速率的關系。
Microcrystalline silicon solar cells with the variation of silane concentration (SC) and discharge power were fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition.
采用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術成功地制備了不同矽烷濃度和輝光功率條件下的微晶矽電池。
In this paper, substrate materials of diamond films by chemical vapor deposition are discussed.
讨論了化學氣相沉積金剛石薄膜的各種襯底材料。
High quality diamond thin films were grown by hot-filament chemical vapor deposition.
采用熱絲化學氣相沉積生長出優異的金剛石薄膜。
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種在高溫或等離子體環境下，通過氣态前驅體在基底表面發生化學反應，生成固态薄膜材料的關鍵工藝技術。其核心原理是利用氣态物質在受熱基底上的化學反應，實現原子或分子級别的材料沉積。以下是其核心要素詳解：
前驅體輸送
揮發性金屬鹵化物（如SiCl₄、WF₆）或有機金屬化合物（如三甲基鋁）以氣态形式進入反應室。
示例：沉積氮化矽（Si₃N₄）時常用矽烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）作為前驅體。
化學反應
前驅體在高溫（通常500–1200°C）或等離子體激活下分解或反應，生成活性物質（如原子、離子團）。
反應式示例（沉積多晶矽）：
$$ ce{SiH4(g) ->[Delta] Si(s) + 2H2(g)} $$
表面沉積
活性物質在基底表面吸附、遷移并成核生長，形成緻密薄膜。副産物氣體（如HCl、H₂）被排出系統。
| 領域 | 應用實例 | 沉積材料 |
|---|---|---|
| 半導體制造 | 晶體管栅極、互連層 | 多晶矽、鎢（W） |
| 光學塗層 | 增透膜、反射鏡保護層 | SiO₂、TiO₂ |
| 刀具強化 | 硬質合金塗層 | 金剛石、TiN |
| 新能源 | 太陽能電池減反射層 | Si₃N₄ |
技術優勢：
《薄膜材料科學》（Richard W. Berry 等）
系統闡述CVD反應動力學與成膜機理。
美國物理聯合會出版社（需通過學術機構訪問）
國際半導體技術路線圖（ITRS）報告
詳述CVD在先進制程中的技術規範（如FinFET中的高介電常數介質沉積）。
美國國家标準與技術研究院（NIST）
發布CVD工藝參數數據庫與薄膜性能測試标準。
注：以上内容基于材料沉積領域經典教材與行業标準文件整理，确保符合原則的專業性與權威性。具體工藝參數請參考設備制造商技術手冊或行業标準（如SEMI标準）。
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一種通過氣态物質在固體表面發生化學反應并形成固态薄膜的技術。以下從定義、原理、應用三方面詳細解釋：
CVD利用含薄膜元素的氣态化合物或單質（如SiCl₄、CH₄等）在襯底表面發生化學反應，生成高純度或摻雜的固态薄膜材料。其核心是通過氣相反應實現材料在微觀尺度上的精确沉積。
CVD過程通常包含三個階段（）：
根據反應條件可分為：
CVD因能制備高純度、複雜結構的材料，成為現代材料科學和微電子工業的核心工藝之一。如需更詳細分類或案例，可參考完整内容。
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