介電工藝英文解釋翻譯、介電工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 ***lectric process

分詞翻譯：

介的英語翻譯：

interpose; mind; shell; take seriously; upright
【化】 meso-; meta-
【醫】 carapace

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

工藝的英語翻譯：

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

專業解析

介電工藝（Dielectric Process）是電子工程與材料科學中的核心概念，指在制造電子器件（如集成電路、電容器）時，對絕緣性材料（介電材料）進行沉積、刻蝕、圖形化等處理的技術總稱。以下從漢英詞典角度分層解析：

一、術語定義與核心特性

中文釋義：
“介電”指材料在電場作用下産生電極化但不導電的特性；“工藝”指加工方法。合指利用絕緣材料的極化特性實現電子功能的制造技術。

英文對照：
Dielectric Process（介電工藝）—— Dielectric（介電體：絕緣且可極化的材料）+ Process（加工流程）。

關鍵特性：高絕緣性（High Insulation）、可調控介電常數（Adjustable Permittivity）、低介電損耗（Low Loss Tangent）。

二、工藝原理與技術分類

介電薄膜沉積
- 化學氣相沉積（CVD）：通過化學反應在基片表面生成二氧化矽（SiO₂）等介電層，用于晶體管栅極絕緣。
- 物理氣相沉積（PVD）：濺射氮化矽（Si₃N₄）薄膜，提升電容器耐壓性。
圖形化刻蝕
利用光刻和幹法刻蝕（如等離子刻蝕）在介電層上開孔，實現金屬互連結構的絕緣隔離。

材料改性
摻雜（如摻碳二氧化矽）或堆疊高κ材料（HfO₂、Al₂O₃），降低寄生電容并增強器件性能。

三、核心應用場景

集成電路制造：
栅極介電層（如Intel 7nm工藝使用High-κ金屬栅）控制晶體管開關。

多層陶瓷電容器（MLCC）：
钛酸鋇（BaTiO₃）介電層的印刷與燒結工藝決定電容密度。

微機電系統（MEMS）：
氮化矽介電膜用于傳感器絕緣支撐結構。

四、技術參數與行業标準

介電常數（κ）：衡量材料儲電能力，SiO₂的κ≈3.9，HfO₂可達25。
擊穿場強（Breakdown Field）：單位厚度介電層耐受的最大電壓，如SiO₂≥10 MV/cm。
厚度控制：納米級精度（±0.1nm）通過原子層沉積（ALD）實現，公式：
$$ E{text{break}} = frac{V{text{bd}}}{d} $$

其中 ( V_{text{bd}} ) 為擊穿電壓，( d ) 為介電層厚度。

參考文獻

清華大學微電子所.《集成電路工藝原理》. 高等教育出版社, 2020.
IEEE标準協會. IEEE Std 1620-2008: Ferroelectric Materials.
國際半導體技術路線圖（ITRS）. Front End Processes Report. 2015.
美國材料試驗協會. ASTM D150-11: Dielectric Constant Test Methods.

網絡擴展解釋

“介電工藝”的英文翻譯為dielectric process，其核心含義與介電材料的加工技術相關。以下是綜合解釋：

1.基本定義

介電（Dielectric）：指在電場中不導電但能極化的材料，常見于電容器、絕緣層等電子元件中。
工藝（Process）：指材料制備、加工或處理的技術流程。結合兩者，“介電工藝”可理解為通過特定技術手段制造或處理介電材料的過程。

2.應用領域

半導體制造：用于芯片絕緣層的沉積（如二氧化矽薄膜）。
電子元件生産：如電容器介質層、印刷電路闆（PCB）的絕緣處理。
高頻器件：介電材料在微波通信、雷達等領域的應用。

3.技術特點

可能涉及薄膜沉積（如化學氣相沉積CVD）、光刻蝕刻等微納加工技術。
需控制材料的介電常數、損耗因子等參數以滿足不同場景需求。

4.補充說明

搜索結果中未提供更詳細的定義，可能與術語的專業性較強有關。建議參考電子工程、材料科學領域文獻或行業标準文件獲取進一步信息。

如需具體工藝步驟或案例，可提供更詳細的應用場景以便定向補充。