霍耳常数英文解释翻译、霍耳常数的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 Hall constant

quickly; suddenly

ear; erbium
【医】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-

constant; invariable
【计】 C
【化】 constant
【医】 constant
【经】 constant

霍尔常数（Hall Constant），又称霍尔系数（Hall Coefficient），是描述材料在磁场中产生霍尔效应强弱的重要物理参数。其定义为在垂直电流方向和磁场方向的平面上产生的霍尔电场强度 ( E_H ) 与电流密度 ( J ) 和外加磁感应强度 ( B ) 乘积的比值，数学表达式为：

$$ R_H = frac{E_H}{J cdot B} $$

载流子类型判别
霍尔常数的符号直接反映材料中载流子的带电属性：
- 负值（如 ( R_H < 0 )）表明材料以电子为主要载流子（n型半导体）；
- 正值（如 ( R_H > 0 )）表明以空穴为主要载流子（p型半导体）。
载流子浓度计算
对于非简并半导体等理想情况，霍尔常数与载流子浓度 ( n ) 的关系为：

$$ R_H = frac{1}{n cdot q} $$

其中 ( q ) 为电子电荷量（( 1.6 times 10^{-19} , text{C} )）。通过测量 ( R_H ) 可直接推算载流子密度。
迁移率关联
结合电导率 ( sigma ) 的测量，可进一步计算载流子迁移率 ( mu )：

$$ mu = |R_H| cdot sigma $$

霍耳常数（Hall constant，又称霍尔系数）是描述材料在磁场中产生霍尔效应强弱的关键物理参数。以下是其详细解释：

定义与物理意义
霍耳常数（RH）反映了材料在外加磁场下产生横向电势差（霍尔电压）的能力。其值越大，材料的霍尔效应越显著。对于半导体等材料，RH的正负还可判断载流子类型（正电荷空穴为正值，负电荷电子为负值）。
计算公式
根据霍尔效应原理，霍尔电势差 ( U_H ) 与电流 ( I )、磁感应强度 ( B ) 的关系为：
$$ U_H = R_H cdot frac{I cdot B}{delta} $$
其中，( delta ) 为材料厚度。霍耳常数的表达式为：
$$ R_H = mu cdot rho $$
(mu) 是载流子迁移率，(rho) 为材料电阻率。通过载流子浓度 ( n ) 和电荷量 ( q )，也可表示为 ( R_H = frac{1}{nq} )。
单位与量纲
霍耳常数的国际单位通常为立方米每库仑（m³/C）或伏·米/(安·特斯拉)（V·m/(A·T)），具体取决于公式中参数的选取方式。
应用领域
主要用于半导体材料特性分析、磁场测量传感器设计（如霍尔元件）以及凝聚态物理中的载流子行为研究。例如，通过测量RH可推算半导体中载流子浓度和迁移率。

补充说明：需注意区分霍耳常数（RH）与霍尔灵敏度（KH，单位通常为V/(A·T)），后者更侧重于器件的电压输出特性。英文术语可参考为“Hall constant”。