固体钽质英文解释翻译、固体钽质的近义词、反义词、例句
英语翻译:
【电】 solid tantalum capacitor
分词翻译:
固体的英语翻译:
solid; solid body
【医】 solid; stereo-
钽的英语翻译:
【医】 Ta; tantalum
质的英语翻译:
character; matter; nature; pawn; pledge; quality; question; ******
【医】 mass; massa; quality; substance; substantia
【经】 guilder
专业解析
固体钽质是一个材料科学领域的专业术语,其核心含义可拆解为:
-
中文解析
- 固体 (Gùtǐ):指物质存在的状态之一,具有固定形状和体积,分子排列紧密有序。
- 钽 (Tǎn):指化学元素钽(Tantalum),元素符号为Ta,原子序数73。它是一种稀有、坚硬的蓝灰色过渡金属。
- 质 (Zhì):在此语境下指“物质”、“材料”或“本体”。
- 整体含义:指以固态形式存在的、主要由金属钽元素构成的物质或材料。它强调的是材料的化学成分(钽)和物理状态(固态)。
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英文对应
- 最直接、标准的英文对应词是Solid Tantalum。
- 它明确表达了“固态的钽”这一核心概念。
- 在特定应用场景下,也可能指Tantalum Solid,但Solid Tantalum 是更常见和规范的表述。
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材料特性与应用
- 高熔点:钽的熔点极高(约3017°C),使其在高温应用中表现出色。
- 耐腐蚀性:钽对大多数酸(尤其是无机酸)具有极强的抵抗力,仅次于铂金。即使在王水中也极难溶解。
- 生物相容性:钽在人体环境中非常稳定且惰性,被广泛应用于骨科和牙科植入物。
- 优异电容性能:固态钽粉烧结形成的多孔块体,经氧化形成介电层(五氧化二钽),是制造高性能钽电解电容器 的核心材料。这种电容器以体积小、容量大、稳定性好著称。
- 其他应用:还用于化工设备(耐腐蚀部件)、高温合金添加剂、真空炉发热体、切削工具涂层等。
权威性参考来源(基于术语学与材料科学共识):
- 《英汉材料词汇》(科学出版社)或类似权威专业词典:此类词典是查找材料科学术语标准中英对应的最可靠来源,明确收录“固体钽”对应“Solid Tantalum”。 来源:专业辞书出版物。
- 国际纯粹与应用化学联合会 (IUPAC) 元素术语:IUPAC 是化学元素命名和术语的全球最高权威机构,其标准术语中 Tantalum (Ta) 是唯一公认的元素名称。 来源:IUPAC官方网站 (https://iupac.org/)。
- 材料特性数据库 (如 ASM Handbooks, MatWeb):这些权威数据库详细记录了钽(Tantalum)及其固态形式的物理、化学和机械性能数据。 来源:ASM International (https://www.asminternational.org/) 或 MatWeb材料数据库 (https://www.matweb.com/)。
- 电子元件行业标准 (如 EIA, JIS):在电容器领域,“固体钽电容器”对应的标准英文术语即为“Solid Tantalum Capacitor”,由电子工业协会等机构规范。 来源:电子元件行业协会标准文档。
- 生物材料标准 (如 ISO 5832, ISO 10993):涉及外科植入物用金属材料(包括钽)的国际标准中,明确使用“Tantalum”指代该材料。 来源:国际标准化组织 (ISO) 标准文档。
“固体钽质”指代的是以固态形式存在的金属钽材料,其标准英文术语为Solid Tantalum。这种材料因其独特的物理化学性质(高熔点、极强耐腐蚀性、生物相容性、优异电容性能)而在电子(电容器)、化工、医疗(植入物)、航空航天等领域具有重要应用价值。其术语定义和特性描述基于材料科学和化学领域的广泛共识及权威标准。建议查阅专业词典或材料数据库获取更详尽的性能参数和应用信息。
网络扩展解释
“固体钽质”是电子元件领域中对一类电容器材料的专业表述,具体含义如下:
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核心构成
- 固体:指电容器的电解质为固态(如二氧化锰),区别于液态或凝胶态电解质。这种设计提升了电容器的稳定性、耐高温性和寿命。
- 钽质:以金属钽(化学符号Ta)为核心材料。钽具有高熔点(3017℃)、强抗腐蚀性,其氧化膜(五氧化二钽)介电常数极高,能在微小体积下实现较大电容量。
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特性与优势
- 体积比铝电容小30%以上,但单位体积电容量更高,适用于微型化电路设计(如手机、笔记本电脑)。
- 漏电流极低,高频滤波性能优异,且温度稳定性优于多数电解电容。
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应用场景
主要用于高精度电源滤波(如CPU供电模块)、医疗设备、航空航天电子等对可靠性和空间要求严苛的领域。其价格较高(因钽矿稀缺),但性能优势不可替代。
该技术由美国贝乐实验室于1956年率先实现工业化,现已成为高端电子设备的关键元件之一。
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