
【电】 transdiode
bestrad; cut across; step; straddle; stride
【机】 amphi-
diode
【化】 diode
跨二极管(Cross Diode)是电子工程领域中对特定双向导通半导体器件的非标准化称呼,通常指代具有对称双向击穿特性的电压触发元件,例如双向触发二极管(DIAC)。其核心特性与结构如下:
定义与结构
跨二极管由P-N-P-N五层半导体结构构成,两端电极对称设计,无明确阳极/阴极区分。其伏安特性呈"负阻"现象,当两端电压超过击穿值(通常30-40V)时,器件突然导通并维持低压降状态。
工作原理
基于雪崩击穿效应实现双向导通:
$$V_{BO}=η cdot frac{E_g cdot ε_s}{q cdot Nd}$$
式中$V{BO}$为击穿电压,$η$为材料系数,$E_g$为禁带宽度,$ε_s$为介电常数。该公式源自半导体物理基础理论(参考:《半导体器件物理》施敏著)。
典型应用
关键参数
根据IEC 60747-5标准,主要指标包括:击穿电压公差(±2V)、转折电流(典型值100μA)、维持电流(5-50mA范围)。工业级器件需满足-40°C至+125°C工作温度要求(数据来源:Vishay半导体技术文档)。
权威参考资料建议查阅:
“跨二极管”并非电子工程领域的标准术语,可能为以下几种情况的误写或混淆:
可能的误写或混淆:
建议:
如需进一步解答,请补充具体应用背景或技术文档片段。
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