
【電】 transdiode
bestrad; cut across; step; straddle; stride
【機】 amphi-
diode
【化】 diode
跨二極管(Cross Diode)是電子工程領域中對特定雙向導通半導體器件的非标準化稱呼,通常指代具有對稱雙向擊穿特性的電壓觸發元件,例如雙向觸發二極管(DIAC)。其核心特性與結構如下:
定義與結構
跨二極管由P-N-P-N五層半導體結構構成,兩端電極對稱設計,無明确陽極/陰極區分。其伏安特性呈"負阻"現象,當兩端電壓超過擊穿值(通常30-40V)時,器件突然導通并維持低壓降狀态。
工作原理
基于雪崩擊穿效應實現雙向導通:
$$V_{BO}=η cdot frac{E_g cdot ε_s}{q cdot Nd}$$
式中$V{BO}$為擊穿電壓,$η$為材料系數,$E_g$為禁帶寬度,$ε_s$為介電常數。該公式源自半導體物理基礎理論(參考:《半導體器件物理》施敏著)。
典型應用
關鍵參數
根據IEC 60747-5标準,主要指标包括:擊穿電壓公差(±2V)、轉折電流(典型值100μA)、維持電流(5-50mA範圍)。工業級器件需滿足-40°C至+125°C工作溫度要求(數據來源:Vishay半導體技術文檔)。
權威參考資料建議查閱:
“跨二極管”并非電子工程領域的标準術語,可能為以下幾種情況的誤寫或混淆:
可能的誤寫或混淆:
建議:
如需進一步解答,請補充具體應用背景或技術文檔片段。
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