abbr. 静态随机存取存储器（Static Random Access Memory）
RAM cache is a portion of memory made of high- speed static RAM.
随机存储器缓存是由高速静态随机存储器组成的存储器的一部分。
A quick-break power failure protection for static RAM is described.
本文提出一种静态RAM快速切断停电保护装置。
RAM can be classified as Static RAM and Dynamic random access memory.
内存可分为静态存储器和动态随机存取记忆体。
PCM stream which has been bit blocked is sent into computer, buffered by a dual port static ram, then it's frame blocked roughly.
首先将接收到的PCM数据流进行位同步，然后经过一双口ram作为缓冲，直接送入微机进行实时帧同步码粗同步。
To ensure the high speed, cache is made of static ram rather than dynamic ram used for the other part of the memory since this is slower.
为保证高速，“缓存”由静态内存构成而不是动态内存，因动态内存会稍慢。
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，简称SRAM）是一种基于双稳态触发器电路原理的半导体存储器。其核心特点在于无需周期性刷新即可保持数据稳定性，只要持续供电，存储的信息就不会丢失。SRAM的存储单元通常由6个晶体管（4个MOSFET构成两个交叉耦合的反相器，外加2个存取控制晶体管）组成，这种结构使其具有高速读写性能和低延迟特性，但集成密度低于DRAM（动态随机存取存储器）。
关键特性与工作原理：
数据以触发器的逻辑状态（0或1）存储，通过正反馈维持稳定，无需DRAM所需的电容刷新操作。
访问时间可低至纳秒级（如10ns以下），适用于高速缓存（CPU L1/L2 Cache）等对延迟敏感的场景。
待机时仅存在静态漏电流，功耗较低；但写入时因需翻转触发器状态，瞬时功耗较高。
主要用于CPU高速缓存、网络设备缓冲器、FPGA配置存储器及低功耗嵌入式系统。
与DRAM的对比： |特性 |SRAM |DRAM | |----------------|------------------------------|------------------------| | 存储单元结构| 6晶体管（6T）| 1晶体管+1电容（1T1C）| | 刷新需求| 无需刷新 | 需周期性刷新（~64ms）| | 访问速度| 快（纳秒级） | 较慢（数十纳秒） | | 集成密度| 低（单元面积大） | 高（单元面积小） | | 功耗| 待机低，操作高 | 刷新功耗显著| | 典型应用| CPU缓存、寄存器文件| 主内存（RAM）|
权威参考来源：
注：链接有效性需根据实际发布平台验证，学术文献建议通过IEEE Xplore、SpringerLink等数据库获取。
静态随机存取存储器（Static RAM，简称SRAM）是一种计算机内存类型，以下是其核心特点与工作原理的详细解释：
基本定义 SRAM属于易失性存储器，依靠持续供电保持数据。其存储单元由4-6个晶体管构成双稳态电路（如触发器），无需动态刷新即可维持数据稳定。
结构特性 • 晶体管结构：每个存储单元包含4-6个晶体管，形成交叉耦合的反相器结构 • 访问方式：支持直接寻址访问，无需DRAM的预充电过程 • 数据保持：通电状态下永久保持数据，断电后立即丢失
性能优势 √ 速度：访问时间约10ns，比DRAM快5-10倍 √ 功耗：待机功耗极低（微瓦级），无刷新损耗 √ 可靠性：对电磁干扰不敏感，抗噪能力强
应用场景 ▶ CPU高速缓存（L1/L2缓存） ▶ 网络路由器的缓冲存储器 ▶ 便携设备的低功耗内存模块 ▶ 需要快速存取的特殊寄存器
与DRAM对比 | 特性| SRAM | DRAM | |------------|------------|------------| | 存储密度| 低（晶体管多）| 高（1T1C结构）| | 制造成本| 高（6-8倍） | 低 | | 刷新需求| 无需| 周期刷新| | 典型容量| MB级 | GB级 |
由于采用复杂电路结构，SRAM芯片面积是DRAM的4-6倍，这限制了其在大容量存储中的应用，但仍是高性能计算场景不可替代的存储方案。
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