電光效應英文解釋翻譯、電光效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 electro-optic effect

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

【化】 light effect
【醫】 photo-effect

電光效應 (Electro-optic Effect) 是指某些物質（主要是晶體或特定材料）的光學性質（如折射率）在外加電場作用下發生改變的現象。這種效應使得光波在通過該材料時的傳播特性（如相位、偏振态或強度）能夠被電場直接調控。

核心機制與類型：

線性電光效應 (普克爾效應, Pockels Effect)：當外加電場與光傳播方向平行或垂直時，材料的折射率變化與外加電場強度成正比（Δn ∝ E）。該效應僅存在于不具有中心對稱結構的晶體中（如磷酸二氫鉀 KDP、铌酸锂 LiNbO₃）。其數學表達通常為： $$ Delta n = -frac{1}{2} n r E $$ 其中，n 是材料的折射率，r 是電光系數，E 是外加電場強度。來源：經典電動力學教材（如 J. D. Jackson, Classical Electrodynamics）及晶體光學專著。
二次電光效應 (克爾效應, Kerr Effect)：材料的折射率變化與外加電場強度的平方成正比（Δn ∝ E²）。該效應存在于所有物質中，但在各向同性介質（如液體、玻璃）或具有中心對稱的晶體中更為顯著。其表達式為： $$ Delta n = K lambda E $$ 其中，K 是克爾常數，λ 是光波長。來源：标準光學物理參考書（如 M. Born & E. Wolf, Principles of Optics）。

典型應用領域：

光調制器 (Optical Modulators)：利用電光效應可快速改變光波的相位或強度，是光纖通信、激光加工中高速信號調制的核心元件。來源：IEEE 光子學技術期刊（如 IEEE Photonics Technology Letters）及光通信設備技術手冊。
電光開關 (Optical Switches)：通過電場控制光路通斷，用于光網絡路由和集成光子學芯片。來源：光學工程綜述文獻（如 Applied Optics 相關論文）。
Q 開關 (Q-switching)：在激光諧振腔内利用電光晶體實現激光脈沖的快速釋放，産生高峰值功率脈沖。來源：激光物理與技術專著（如 O. Svelto, Principles of Lasers）。
電壓傳感器 (Voltage Sensors)：通過測量電場引起的光偏振态變化來間接測量高壓，適用于電力系統監測。來源：電氣工程應用期刊（如 IEEE Transactions on Power Delivery）。

學術定義參考：

中文定義可參見《物理學名詞》（全國科學技術名詞審定委員會）或《光學手冊》。
英文定義詳見 OSA Handbook of Optics 或 Springer Handbook of Lasers and Optics 中 "Electro-optic Effects" 章節。

電光效應是指在外加電場作用下，材料的光學性質（如折射率）發生變化的物理現象。以下是詳細解釋：

電光效應主要表現為各向同性透明材料在電場中呈現光學各向異性，或晶體材料的折射率隨電場變化而改變。其本質是電場改變了材料的介電常數，進而影響光波傳播特性。

根據折射率與電場的依賴關系，電光效應分為兩類：

線性電光效應（普克爾斯效應）
折射率變化與電場強度成線性關系，公式為：
$$Delta n = aE$$
常見于無對稱中心的晶體（如水晶、钛酸鋇）。
二次電光效應（克爾效應）
折射率變化與電場強度的平方成正比，公式為：
$$Delta n = bE$$
多發生在各向同性液體（如硝基苯）中，電場使分子有序排列而呈現各向異性。

折射率與電場的一般關系可表示為：
$$n = n_0 + aE + bE + cdots$$
其中，(n_0)為無電場時的折射率，(a)和(b)分别為線性與二次電光系數。

電光效應被廣泛應用于光通信、激光調制器和光學傳感器等領域。例如：

如需更完整的實驗數據或曆史背景，可參考搜狗百科（-2）及MBA智庫文檔。