半導體工藝英文解釋翻譯、半導體工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor technology

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

半導體工藝（Semiconductor Manufacturing Process）是集成電路制造的核心技術，指通過物理、化學手段在半導體材料（如矽）表面形成微電子器件的精密加工流程。該工藝涉及晶體生長、光刻、摻雜、薄膜沉積、蝕刻等關鍵步驟，最終實現晶體管、電阻、電容等元件在芯片上的集成。

從技術流程分析，半導體工藝可分為以下主要環節：

晶圓制備（Wafer Fabrication）：使用直拉法（Czochralski Method）制備高純度單晶矽錠，經切割抛光形成直徑300mm的晶圓片。
光刻（Photolithography）：通過紫外光照射将掩膜版圖案轉移到光刻膠層，采用極紫外（EUV）光刻技術可實現5nm以下線寬。
離子注入（Ion Implantation）：将硼、磷等雜質原子以高能離子束注入矽基體，形成PN結等半導體結構，摻雜濃度精确控制達10¹⁶-10²¹ atoms/cm³量級。
薄膜沉積（Thin Film Deposition）：應用物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）技術，在晶圓表面生長金屬互連層和介質層，銅互連技術可将電阻降低至1.7μΩ·cm。
封裝測試（Packaging & Testing）：采用倒裝芯片（Flip-Chip）或系統級封裝（SiP）技術完成芯片保護與電氣連接，最終通過自動測試設備（ATE）驗證芯片功能。

該領域的權威參考資料可參見：

半導體工藝是制造半導體器件（如集成電路）的核心技術，涉及從原材料處理到芯片成型的複雜流程。以下是其關鍵要點：

半導體工藝是通過一系列物理、化學和機械加工步驟，在半導體材料（如矽）上構建微型電子元件及電路的技術。其核心目标是實現納米級結構的精确控制，以滿足電子器件的高集成度與高性能需求。

晶圓制備
從高純度矽錠切割出晶圓，經抛光達到原子級平整表面。矽砂提純後形成單晶矽錠，切割成0.1-1mm厚的晶圓片。
光刻與刻蝕
- 光刻：通過掩模将電路圖案轉移到光刻膠上，包含塗膠、曝光、顯影等步驟，精度可達納米級。
- 刻蝕：用化學或物理方法去除多餘材料，形成三維結構（如幹法刻蝕精度達5nm以下）。
摻雜與沉積
- 離子注入：通過高能離子束改變半導體導電性，控制器件阈值電壓。
- 薄膜沉積：采用CVD（化學氣相沉積）或PVD（物理氣相沉積）形成絕緣層或導電層。
互連與封裝
通過金屬化工藝連接晶體管，再經塑封保護芯片并實現外部引腳連接。

該技術支撐了從微處理器到存儲芯片的全産業鍊，2025年全球市場規模預計超6000億美元。隨着摩爾定律逼近物理極限，新方向包括：

如需更詳細的工藝流程圖解，可參考半導體制造專業文獻或權威機構的技術白皮書。