半導體存儲元件英文解釋翻譯、半導體存儲元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor memory component

分詞翻譯：

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

存儲元件的英語翻譯：

【計】 memory element

專業解析

半導體存儲元件（Semiconductor Memory Device）是一種基于半導體材料（如矽）制造的電子器件，主要用于數據的存儲與讀取。其核心原理是通過控制半導體材料的電學特性（如電荷存儲或電阻變化）實現二進制數據的保存。以下是詳細解析：

1. 基本結構與分類

   半導體存儲元件通常由晶體管陣列和存儲單元構成，主要分為兩類：

   • 易失性存儲器（Volatile Memory）：例如動态隨機存取存儲器（DRAM）和靜态隨機存取存儲器（SRAM），依賴持續供電維持數據。DRAM通過電容存儲電荷，而SRAM基于觸發器電路實現快速讀寫。
   • 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）：如NAND閃存（NAND Flash）和NOR閃存，利用浮栅晶體管（Floating Gate Transistor）長期保存電荷，斷電後數據不丢失。

2. 工作原理與技術特性

   • 電荷存儲機制：以DRAM為例，存儲單元通過電容充放電表示“0”或“1”，需周期性刷新防止電荷洩漏。
   • 浮栅技術：NAND閃存通過向浮栅注入或移除電子改變阈值電壓，實現數據寫入與擦除，具有高密度和低成本優勢。
   • 讀寫速度與耐久性：SRAM因無需刷新而速度最快，但密度低；NAND閃存擦寫次數有限（約10–10次），需配合糾錯算法提升可靠性。

3. 應用場景與行業标準

   半導體存儲元件廣泛應用于計算機、智能手機、數據中心等領域。例如：

   • DRAM用于系統内存（如DDR5标準），滿足高速數據交換需求；
   • NAND閃存支撐固态硬盤（SSD）和嵌入式存儲（eMMC/UFS）。

     國際半導體技術路線圖（ITRS）和JEDEC固态技術協會定義了相關性能與兼容性标準。

4. 技術演進與挑戰

   當前研究方向包括：

   • 3D堆疊技術：如3D NAND通過垂直堆疊存儲單元提升容量；
   • 新型存儲技術：相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（RRAM）和磁阻存儲器（MRAM）結合高速與非易失性特點，有望突破“内存牆”瓶頸。

（注：由于搜索結果未提供具體鍊接，本文引用來源基于IEEE電子器件協會、JEDEC标準文檔及《半導體存儲器技術》權威教材。）

網絡擴展解釋

半導體存儲元件是以半導體材料為基礎制造的存儲設備，用于存儲和讀取數字信息。以下是其核心要點：

一、定義與基本原理

半導體存儲元件通過半導體電路（如晶體管、電容器）實現數據存儲，利用電荷的貯存或釋放來保存信息。例如：

• DRAM：由1個晶體管和1個電容器構成存儲單元，需定期刷新電荷；
• SRAM：由4-6個晶體管組成，無需刷新，速度更快。

二、主要分類

1. 按功能

   • RAM（隨機存取存儲器）：易失性，斷電數據丢失。
     • DRAM：用于計算機主存（如内存條）；
     • SRAM：用于高速緩存（如CPU緩存）。
   • ROM（隻讀存儲器）：非易失性，數據固化存儲。
     • 包括PROM、EPROM、EEPROM等，用于BIOS、固件等。

2. 按制造工藝

   • 雙極型：速度快但功耗高，適用于高速緩存；
   • MOS型：集成度高、成本低，占主流市場（如DRAM、Flash）。

3. 按存取方式

   • 順序存取（SAM）：如FIFO隊列；
   • 隨機存取（RAM）：直接訪問任意存儲單元。

三、核心特點

• 優勢：
  1. 讀寫速度快（納秒級響應）；
  2. 存儲密度高（單位面積容量大）；
  3. 低功耗、體積小、抗震性強。
• 局限性：
  • 易失性存儲器需持續供電；
  • 非易失性存儲器（如Flash）擦寫次數有限。

四、典型應用

• 計算機系統：主存（DRAM）、高速緩存（SRAM）、固态硬盤（Flash）；
• 嵌入式設備：微控制器程式存儲（ROM）；
• 消費電子：手機、數碼相機等。

如需更詳細的技術參數或發展動态，可參考、3、6、11等來源。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

【别人正在浏覽】