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存儲位英文解釋翻譯、存儲位的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 bank bit

相關詞條:

1.memorybit  2.bankbit  

例句:

  1. 絕對存儲位置,其中裝入一個字或是一串相連字的第一個字。
    The absolute storage location into which a word or the first of a series of contiguous words is loaded.

分詞翻譯:

存的英語翻譯:

accumulate; deposit; exist; keep; live

儲的英語翻譯:

store up

位的英語翻譯:

digit; location; place; potential; throne
【計】 D
【化】 bit
【醫】 P; position
【經】 bit

專業解析

在電子工程和計算機科學領域,"存儲位"(Storage Bit)是描述數字信息存儲基本單元的核心概念,其漢英對應關系及技術含義如下:

一、術語定義

  1. 中文釋義

    "存儲位"指數字系統中存儲單個二進制數據的最小物理單元,可表示"0"或"1"兩種狀态。其物理實現形式包括:

    • 觸發器(Flip-Flop)中的晶體管組合
    • DRAM中的電容電荷狀态
    • 閃存單元的浮栅電子數量
  2. 英文對應術語

    英文表述為"Storage Bit" 或"Memory Bit",在技術文檔中常簡化為"bit"(例如:8-bit memory)。IEEE标準術語(IEEE Std 100)将其定義為:

    "The smallest unit of storage that can represent binary information"

二、技術特性

  1. 物理實現原理

    通過半導體材料的電學特性存儲狀态:

    • SRAM:6個晶體管構成雙穩态電路(交叉耦合反相器)
    • DRAM:1個晶體管+1個電容(電容電壓代表數據狀态)
    • Flash:浮栅MOSFET的阈值電壓偏移(電子隧穿效應)
  2. 性能參數

    存儲位的關鍵指标包括:

    • 存取時間(Access Time):10ns-100ns(DRAM)
    • 保持時間(Retention Time):毫秒級(DRAM)至數年(NAND Flash)
    • 耐久性(Endurance):SRAM >105次,NAND Flash約10-10次

三、系統級關聯

8個存儲位構成1字節(Byte),存儲容量遵循二進制換算: $$ 1 KB = 2^{10} Bytes = 8,192 Bits $$ 在存儲器架構中,存儲位通過地址總線(Address Bus)和數據總線(Data Bus)與處理器交互,地址解碼器(Address Decoder)實現物理位置的映射。

權威參考來源

  1. 《計算機組成與設計:硬件/軟件接口》(David A. Patterson, John L. Hennessy)第五章詳述存儲位物理實現
  2. IEEE固态電路協會(IEEE SSCS)技術報告《存儲器技術演進白皮書》
  3. 美光科技《DRAM工作原理技術手冊》(Micron Technology, Inc.)

注:因術語定義屬基礎概念,本文内容綜合經典教材與行業标準,未引用單一網頁來源。

網絡擴展解釋

“存儲位”在不同語境中有兩種主要含義,需結合上下文理解:

一、計算機領域的存儲單位(bit)
指計算機中最小的數據存儲單位,即“位”(bit),表示二進制數字0或1。

二、其他領域的“儲位”含義

  1. 指存儲位置或空間(如倉庫管理):
    • 示例:物流系統中,“儲位”可能代表貨物存放的具體區域或編號。
  2. 古代漢語中的特殊含義:
    • 指“太子之位”或皇位繼承相關概念,如《南史》中記載的“儲位”即太子身份。

提示:若需更具體的解釋(如計算機存儲單位擴展),可說明具體場景以便進一步解答。

分類

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