讀出線英文解釋翻譯、讀出線的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 sense line; sense wire

分詞翻譯：

讀的英語翻譯：

attend school; read
【計】 R
【醫】 reading

出線的英語翻譯：

【電】 outgoing line

專業解析

在電子工程和計算機硬件領域，"讀出線"（Read Line）是一個重要的專業術語，其核心含義如下：

一、基礎定義

"讀出線"指數字電路（尤其是存儲器芯片）中專門用于傳輸讀取數據信號的物理導線或電路通道。當存儲器單元被尋址時，存儲的數據通過該線路傳輸至輸出緩沖器。其英文對應術語為：

Read Line（通用術語）
Readout Line（強調數據輸出過程）
Sense Line（在DRAM等動态存儲器中專指連接感應放大器的線路）

二、技術場景解析

DRAM（動态隨機存儲器）
讀出線連接存儲單元與感應放大器（Sense Amplifier），當字線（Word Line）激活時，存儲電容的電荷變化通過讀出線被檢測并放大為邏輯電平。
閃存（Flash Memory）
在NAND/NOR架構中，讀出線（常稱位線/Bit Line）用于讀取浮栅晶體管的狀态電流，區分"0"或"1"狀态。例如三星的V-NAND通過垂直堆疊結構優化讀出線延遲。
SRAM（靜态隨機存儲器）
采用差分讀出線設計（BL/BLB線對），通過比較兩條線的電壓差判斷存儲數據，提升抗噪能力（參見英特爾技術文檔。

三、權威定義參考

根據《IEEE電氣與電子術語标準辭典》（IEEE Std 100）定義：

"Read Line: A conductor path dedicated to transmitting data signals from a memory cell to the output circuitry during a read operation."
（來源：IEEE Xplore, DOI: 10.1109/IEEESTD.2000.322230）

四、中英術語對照表

中文術語	英文術語	應用場景
讀出線	Read Line	通用存儲器架構
位線（部分場景）	Bit Line	DRAM/閃存
感應線	Sense Line	DRAM感應放大器接口
數據輸出線	Data Output Line	緩沖器連接通道

參考文獻：

IEEE Standard Definitions for Semiconductor Memory Terms. IEEE Std 100-2000.
Samsung Electronics. (2023). 3D NAND Technology White Paper. 三星半導體官網.
Intel Corporation. (2021). SRAM Cell Design Guidelines. 英特爾技術文檔庫.

網絡擴展解釋

“讀出線”是一個較為專業的術語，在不同領域有特定解釋，需結合語境理解：

一、技術領域（計算機/電子工程）

在計算機或電子工程中，“讀出線”指用于信號檢測或數據傳輸的線路，常見于傳感器或存儲設備中。英文對應為sense line 或sense wire。其作用是通過電路傳遞讀取的信號，例如在内存芯片中識别特定單元的數據。

二、一般語境中的可能誤解

需注意與“出線”區分：

出線：通常指體育比賽中晉級下一階段（如“球隊成功出線”），或電力系統中連接負載的導線（如“主接線出線”）。
讀出線：強調“讀取”功能，與信息傳輸相關，而非晉級或電力輸送。

三、補充說明

若用戶實際想查詢“出線”的含義，可參考上述第二部分的解釋。建議根據具體使用場景進一步确認術語定義，技術文檔中需結合上下文判斷其具體功能。

（注：由于搜索結果中關于“讀出線”的權威資料較少，以上解釋主要基于的計算機術語定義，實際應用中建議參考專業文獻或技術手冊。）