門反相存儲器英文解釋翻譯、門反相存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 gate inverter memory

分詞翻譯：

門的英語翻譯：

class; door; gate; gateway; ostium; phylum; school
【計】 gate
【醫】 binary division; hili; hilum; hilus; phylum; pore; Pori; porta; portae
portal; porus; pyla
【經】 portal

反相的英語翻譯：

【計】 anti-phase

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

門反相存儲器（Gate-Inverted Memory）是數字電路設計中基于邏輯門反相原理構建的非易失性存儲單元。其核心結構由互補型金屬氧化物半導體（CMOS）反相器交叉耦合形成雙穩态電路，通過控制門極電壓實現數據寫入與保持。該技術具有以下特性：

存儲機制
每個存儲單元包含兩個互連的反相器，通過正反饋維持"0"或"1"的穩定狀态。寫入操作時，字線（Word Line）激活傳輸門晶體管，位線（Bit Line）施加差分電壓改變存儲節點的電荷分布。
功耗特性
相比動态隨機存儲器（DRAM），門反相存儲器在待機狀态下僅存在亞阈值洩漏電流，靜态功耗降低約3個數量級（典型值：$P_{static} < 10^{-9} text{W/bit}$）。
速度指标
存取時間主要受傳輸門導通電阻和位線電容影響，采用FinFET工藝的先進制程可實現小于1ns的讀寫延遲（參考IEEE 1801-2018标準）。
應用場景
廣泛應用于高速緩存（Cache Memory）、現場可編程門陣列（FPGA）配置存儲器，以及物聯網設備的低功耗存儲模塊（詳見《超大規模集成電路設計》第5章）。

網絡擴展解釋

關于“門反相存儲器”這一術語，目前公開資料中并無直接對應的定義或解釋。根據電子工程領域常見的術語邏輯，可以嘗試推測其可能的含義：

邏輯門與存儲器的關聯性
在數字電路中，存儲單元（如SRAM）通常由交叉耦合的反相器構成，形成雙穩态結構用于存儲1比特數據。這種設計利用反相器（非門）的輸入輸出反向特性，通過反饋維持狀态，可能是“門反相”概念的來源。
可能的混淆術語
- 非門（反相器）：實現邏輯反相的基本單元，單獨無法存儲數據，但多個反相器組合可形成鎖存器。
- 動态存儲器：某些存儲器利用電容暫存電荷表示數據，需定期刷新，可能與門電路控制相關。
建議核實的場景
- 若涉及集成電路設計，可能指基于CMOS反相器的存儲單元，如SRAM的六晶體管結構。
- 若為新興技術，可能與新型存儲器件（如憶阻器與邏輯門結合）相關，但目前無公開文獻支持這一術語。

由于缺乏明确出處，建議提供更多上下文或檢查術語的準确性（例如是否為“反向門控存儲器”或“反相器型存儲器”），以便進一步分析。