接面電容英文解釋翻譯、接面電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 junction capacitance

分詞翻譯：

接的英語翻譯：

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

接面電容（Junction Capacitance）是半導體器件中由PN結或金屬-半導體接觸形成的寄生電容效應。其英文術語在IEEE标準中定義為"the capacitance associated with the depletion region of a semiconductor junction"（IEEE Xplore Digital Library）。該電容主要由耗盡層電荷變化引起，可分為勢壘電容（Barrier Capacitance）和擴散電容（Diffusion Capacitance）兩種類型。

在物理機制層面，接面電容遵循平行闆電容器公式： $$ C_J = frac{varepsilon A}{W} $$ 其中$varepsilon$為介電常數，$A$為結面積，$W$為耗盡層寬度。該公式引自《半導體器件物理》第三版（施敏，ISBN 978-0471143239）。

工程應用中，接面電容會影響高頻電路性能，具體表現為：

開關速度限制（MOSFET反向恢複時間）
諧振頻率偏移（射頻電路阻抗匹配）
功率損耗增加（開關電源轉換效率）根據《微電子電路設計》（理查德·傑默，ISBN 978-0073380452）的實測數據，典型矽基二極管的接面電容值範圍在0.1-10pF之間。

網絡擴展解釋

“接面電容”通常指半導體器件中由PN結（或金屬-半導體接觸面）形成的電容效應，屬于寄生電容的一種。以下是詳細解釋：

1.基本定義

接面電容（Junction Capacitance）是由于半導體PN結在反向偏置時，耗盡層内電荷分離形成的電容特性。其本質是耗盡層兩側的載流子（P區的空穴和N區的電子）分離，形成類似平行闆電容器的結構，中間夾着絕緣的耗盡層。

2.物理原理

結構類似電容器：PN結的P區和N區相當于電容的兩個極闆，中間的耗盡層作為絕緣介質。
電容公式：接面電容大小與耗盡層寬度（(d)）和結面積（(A)）相關，公式為： $$ C = frac{varepsilon A}{d} $$ 其中(varepsilon)為介質的介電常數。

3.影響因素

偏置電壓：反向電壓增大時，耗盡層變寬，電容減小；正向偏置時電容顯著增大（但通常工作于反向偏置狀态）。
摻雜濃度：高摻雜材料會減小耗盡層寬度，導緻電容增大。

4.應用與影響

高頻電路設計：接面電容會限制器件的開關速度，尤其在二極管、晶體管中需特别考慮。
變容二極管：利用接面電容隨反向電壓變化的特性，可制成電壓控制的可變電容元件。

5.與其他電容的區别

接面電容 vs 擴散電容：前者由耗盡層電荷分離産生，後者由載流子擴散運動形成（多見于正向偏置狀态）。
寄生特性：接面電容通常被視為非理想因素，需通過工藝優化或電路設計來抑制。

接面電容是半導體器件的固有特性，理解其原理對高頻電路、集成電路設計及器件選型至關重要。如需進一步了解具體器件參數，可參考半導體物理相關文獻或器件手冊。