
【電】 hybrid thin-film circuit
【計】 mixed type
【化】 mixed type
【計】 thin film circuit; thin-film circuit; thin-film electronic circuit
混合型薄膜電路(Hybrid Thin-Film Circuit)是指通過薄膜沉積技術将無源元件(如電阻、電容)集成在絕緣基闆上,并與分立有源元件(如晶體管、芯片)組合形成的微型化電路系統。該技術結合了薄膜工藝的高精度特性與厚膜電路/分立器件的靈活性,主要特征包括:
結構分層
基闆多采用氧化鋁陶瓷或玻璃,通過真空蒸鍍/濺射形成微米級金屬薄膜(如鉻鎳合金),再經光刻技術蝕刻出高精度導電圖形(線寬可達10-25μm)。
材料組合
電阻層常用氮化钽(TaN)或鎳鉻合金(NiCr),介電層選用二氧化矽(SiO₂),導體層多用金或銅,高頻場景采用钛-鉑-金疊層結構以降低信號損耗。
性能優勢
相比單片集成電路,其電阻溫度系數可控制在±25 ppm/°C以内,功率密度提升3-5倍,適用于高頻微波組件(如雷達T/R模塊)和高穩定性傳感器電路。
該技術标準受IPC-6013E Class 3規範約束,在航空航天電子(如衛星通信載荷)和醫療設備(如MRI梯度放大器)領域有廣泛應用。美國國防部MIL-PRF-38534标準對其可靠性測試方法有詳細規定。
混合型薄膜電路(Hybrid Thin-Film Circuit)是一種結合薄膜技術與混合電路結構的電子元件集成技術。以下從定義、特性、制造工藝和應用領域進行詳細解釋:
混合型薄膜電路屬于混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit)的一種,其核心特征是将有源器件(如半導體芯片)與無源元件(電阻、導體等)通過薄膜工藝集成在絕緣基片上。薄膜工藝指通過真空蒸發、濺射等方法形成厚度在1微米以下的金屬或介質層。
主要用于對性能要求較高的場景,例如:
混合型薄膜電路通過薄膜工藝實現高精度元件與有源器件的集成,雖成本較高,但在高頻、高穩定性需求的領域具有不可替代性。如需進一步了解制造細節,可參考權威文獻或工程手冊。
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