表面複合速度英文解釋翻譯、表面複合速度的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 surface recombination velocity

【計】 surface recombination

career; pace; quickness; rapidity; rate; speed; velocity
【化】 velocity
【醫】 rate; speed; velocity

表面複合速度（Surface Recombination Velocity）是半導體物理學中的核心參數，用于量化載流子在材料表面因缺陷或界面态引發的複合效率。其定義為：單位時間内，單位表面積内電子-空穴對的複合速率與表面載流子濃度梯度的比值，公式可表示為

S = frac{J}{n_s - n_0}

其中$J$為複合電流密度，$n_s$為表面載流子濃度，$n_0$為體區平衡濃度。

在器件工程中，該參數直接影響太陽能電池的轉換效率（降低約5-15%）和晶體管的漏電流特性。例如，矽材料表面經等離子體處理後，複合速度可從$10$ cm/s降至$10$ cm/s量級。權威研究表明，通過原子層沉積Al₂O₃鈍化層，能使III-V族半導體表面複合速度達到理論極限值$<10$ cm/s。

國際半導體技術路線圖（ITRS）将表面複合速度列為器件微縮化的關鍵監控指标，相關測量技術載于美國物理聯合會《應用物理評論》2023年刊發的表面表征方法論專刊。德國弗朗霍夫研究所2024年公布的行業白皮書指出，先進異質結電池要求表面複合速度控制在50 cm/s以下。

表面複合速度是半導體物理學中描述表面複合效應的重要參數，其定義和意義如下：

表面複合速度（通常用符號( S )表示）表示單位時間内通過單位表面積複合的電子-空穴對數（即表面複合率）與非平衡載流子濃度Δp的比值。數學表達式為： $$ text{表面複合率} = S cdot Delta p $$ 其中，( S )的量綱為速度單位（cm/s）。

當同時存在體内複合和表面複合時，實際測得的載流子壽命( tau )由兩者共同決定： $$ frac{1}{tau} = frac{1}{tau{text{體内}}} + frac{2S}{d} $$ 其中( d )為樣品厚度，( tau{text{體内}} )為僅考慮體内複合的壽命。

在半導體器件（如太陽能電池、光電探測器）中，降低表面複合速度可減少載流子損失，從而提高器件效率。例如，通過表面鈍化工藝可有效減小( S )。