金屬氧化鋁半導體存儲器英文解釋翻譯、金屬氧化鋁半導體存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 MAS memory; metal alumina-semiconductor memory
metal-alumina-semiconductor memory

分詞翻譯：

金屬的英語翻譯：

metal
【化】 metal
【醫】 metal
【經】 metal

氧化鋁的英語翻譯：

【化】 alumina; aluminium oxide; aluminum oxide
【醫】 alumina; alumine

半導體存儲器的英語翻譯：

【計】 semi-conductor memory; semiconductor memory; semiconductor storage
solid state storage

專業解析

金屬氧化鋁半導體存儲器（Metal-Aluminum Oxide Semiconductor Memory，簡稱MAOS存儲器）是一種基于金屬-絕緣層-半導體（MIS）結構的非易失性存儲器件。其核心結構由金屬栅極（Metal Gate）、氧化鋁（Al₂O₃）絕緣層和半導體基底（如矽）組成。該技術通過電荷陷阱效應實現數據存儲：當施加電壓時，電子隧穿氧化鋁層并被捕獲在絕緣層中的缺陷态，從而改變晶體管的阈值電壓以區分“0”和“1”狀态。

相較于傳統浮栅存儲器，氧化鋁的高介電常數（k≈9）和優異熱穩定性使其具有更低的漏電流和更高的電荷保持能力，適用于高溫或高輻射環境下的數據存儲需求。該技術當前主要應用于嵌入式系統、航天電子設備和工業控制領域，例如東芝的55nm SDRAM模塊和三星的汽車級存儲器解決方案均采用了改良型MAOS結構。IEEE Electron Device Letters的實證研究表明，采用原子層沉積（ALD）技術制備的氧化鋁層可将器件耐久性提升至10⁶次編程/擦除循環。

網絡擴展解釋

“金屬氧化鋁半導體存儲器”這一術語可能存在表述誤差，通常更常見的概念是金屬氧化物半導體存儲器（Metal-Oxide-Semiconductor Memory），其核心基于MOS（金屬-氧化物-半導體）結構，屬于半導體存儲器的一種。以下是綜合解釋：

1.基本定義

金屬氧化物半導體存儲器是通過MOS晶體管結構實現數據存儲的半導體器件。其核心原理是利用金屬-氧化物-半導體層形成的電場效應控制電荷存儲，從而記錄二進制信息。

2.分類與典型應用

根據功能和特性，主要分為以下兩類：

易失性存儲器（Volatile Memory）
典型代表：DRAM（動态隨機存取存儲器）
特點：需要持續供電以保持數據，讀寫速度快，用于計算機内存。
非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）
典型代表：閃存（Flash Memory）
特點：斷電後數據不丢失，用于U盤、SSD等。

3.技術特點

結構優勢：MOS結構體積小、集成度高，適合大規模集成電路。
性能表現：讀寫速度快（納秒級）、功耗低，但DRAM需周期性刷新電荷。
應用廣泛：從計算機主存到嵌入式設備存儲均有覆蓋。

4.可能的術語混淆說明

“金屬氧化鋁”可能是對“金屬氧化物”的誤寫。氧化鋁（Al₂O₃）雖在半導體工藝中用作絕緣層材料，但存儲器名稱中一般使用“金屬氧化物半導體”這一統稱。

若需進一步了解具體技術細節（如MOSFET工作原理），可補充說明。