【化】 crystal defect; lattice defect
晶格缺陷（Lattice Defects）是材料科學中描述晶體結構不完整性的核心概念。根據晶體學理論，理想的晶體原子應呈現周期性有序排列，但在實際材料中常存在原子排列偏離理想狀态的結構異常現象。這類缺陷主要分為四類：
點缺陷（Point Defects）
包括空位（vacancy）、間隙原子（interstitial atom）和置換原子（substitutional impurity），例如金屬晶體中因原子缺失形成的空位會顯著降低材料的導電性。
線缺陷（Line Defects）
表現為位錯（dislocation），如刃型位錯（edge dislocation）和螺型位錯（screw dislocation）。位錯運動會引發金屬材料的塑性變形，這一機制被《晶體缺陷手冊》列為金屬加工的理論基礎。
面缺陷（Planar Defects）
涵蓋晶界（grain boundary）和堆垛層錯（stacking fault）。晶界作為多晶材料中不同晶粒的交界區域，會阻礙位錯運動從而提升材料強度。
體缺陷（Volume Defects）
如孔隙（void）和第二相沉澱物（precipitate），這類三維缺陷可能成為材料斷裂的起始點。
晶格缺陷對材料性能具有雙重影響：半導體中可控的點缺陷可調節載流子濃度，而過度位錯累積則會導緻金屬疲勞斷裂。國際材料研究協會（IMRA）2024年報告指出，缺陷工程已成為新一代功能材料設計的核心策略。
晶格缺陷是指晶體中原子的排列偏離理想周期性和規則性的現象，廣泛存在于自然和人造材料中。以下是詳細解釋：
定義
晶格缺陷指晶體内部因原子缺失、錯位或雜質引入導緻的結構不完整性。實際晶體在生長或受外界條件影響時，難以形成完美晶格，而是存在局部原子排列的異常。
分類
晶格缺陷并非完全有害，例如：
如需更深入探讨某類缺陷或具體案例，可參考相關文獻或專業教材。
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