靜電感應晶體管英文解釋翻譯、靜電感應晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 static induction transistor

分詞翻譯：

靜的英語翻譯：

calm; quiet; still
【電】 stat

電感應的英語翻譯：

【化】 electric induction

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

靜電感應晶體管（Static Induction Transistor, SIT）是一種利用靜電感應效應控制電流的電壓控制型功率半導體器件。其名稱可拆解為：

靜電感應：指通過栅極電壓産生的靜電場垂直作用于電流溝道，實現對載流子運動的控制（類比于靜電場對導體的感應現象）。
晶體管：表明其作為三端（源極、栅極、漏極）半導體放大/開關器件的屬性。

核心特性與工作原理

垂直溝道結構
電流在源極與漏極間沿垂直方向流動，栅極由平行溝道的PN結或肖特基結陣列構成。栅極電壓改變時，耗盡區寬度變化，調制溝道導通面積，實現電流控制。
靜電感應效應
栅極電壓形成的靜電場直接調制溝道勢壘高度，而非傳統MOSFET的橫向場效應。低栅壓下溝道勢壘低，導通電阻小，適合高頻大功率應用。
常開型器件
零栅壓時溝道自然導通（耗盡型），需負栅壓關斷。此特性使其在短路耐受能力上優于IGBT，但需配套負壓驅動電路。

技術優勢與應用場景

高頻性能：因無少子存儲效應，開關速度可達MHz級别，適用于射頻放大、感應加熱電源。
低導通損耗：多子導電機制降低通态壓降，效率高于同規格MOSFET，用于大電流開關電源。
高溫穩定性：結溫耐受達200°C以上，適合航空航天、電動汽車等極端環境。

權威定義參考

IEEE标準定義：

"SIT是一種利用栅極橫向電場垂直調制溝道電導的場控器件，其輸出特性呈現類三極管飽和曲線"（IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 27, 1980）。
行業手冊描述：
東芝半導體技術手冊指出："SIT的負溫度系數特性可天然避免電流集中，提升并聯運行可靠性"（Toshiba Semiconductor Reliability Handbook）。

參考資料

《功率半導體器件基礎》（B. Jayant Baliga 著）
IEEE Xplore: "Static Induction Devices for High Frequency Power Conversion"
《東芝功率半導體技術白皮書》
國際電力電子會議記錄（IPEC-2023）

網絡擴展解釋

靜電感應晶體管（Static Induction Transistor，簡稱SIT）是一種基于靜電感應原理工作的結型場效應晶體管，屬于單極型電壓控制器件。以下是其核心信息的綜合解釋：

1. 基本結構與電極

SIT包含三個電極：源極（S）、栅極（G）和漏極（D）。其結構通常采用垂直導電設計，通過多單元集成技術實現高壓大功率特性。

2. 工作原理

靜電感應控制：通過栅極外加垂直電場調節溝道區的勢壘高度，控制多數載流子（如電子）從源極到漏極的流動。
非飽和特性：輸出特性類似真空三極管，漏極電流隨電壓增加而持續上升，而非普通場效應管的飽和特性。

3. 核心特點

高頻大功率：工作頻率可達30-50MHz，功率容量超過電力MOSFET，適用于雷達、超聲波放大等場景。
輸入阻抗高：驅動電路簡單，功耗低。
缺點：
- 正常導通型：栅極無信號時默認導通，需負偏壓關斷，使用不便；
- 通态損耗大：通态電阻較高，限制其在常規電力設備中的應用。

4. 典型應用

高頻領域：如通信設備、高頻感應加熱、電視差轉機；
大功率場景：包括雷達、超聲波功率放大、電機控制；
替代傳統電子管：固态化設計使其在低壓/高壓系統中兼具性能和小型化優勢。

5. 與同類器件的區别

對比MOSFET：SIT為結型場效應管，而電力MOSFET屬于絕緣栅型；SIT功率容量更高，但通态損耗更大。
對比晶閘管：SIT為單極型器件，僅多子導電，開關速度更快。

通過上述分析可見，SIT憑借獨特的高頻大功率性能，在特定專業領域具有不可替代性，但其導通特性和損耗問題也限制了更廣泛的應用。