
【電】 space-charge limitation
space charge
【化】 space charge
【醫】 space charge
restrict; limit; astrict; circumscribe; confine; imprison; tether
【計】 slicing
【醫】 limit; limitation; restrict; restriction
【經】 curb; restrict
空間電荷限制(Space Charge Limited,簡稱SCL)是電子器件物理中的核心概念,指在特定條件下電流受器件内部空間電荷分布主導的現象。該效應常見于真空電子管、半導體器件及有機電子元件中,其物理機制與載流子遷移率、電場分布及電荷密度密切相關。
物理機制與中英釋義對照
空間電荷限制指當載流子(如電子或空穴)在介質中遷移時,其自身電荷形成的電場會阻礙後續載流子的注入,導緻電流不再由外部電壓線性控制,而是受限于電荷積累形成的勢壘。對應的英文術語"Space Charge Limited"源于電荷在空間中的非均勻分布對電流的制約作用。
典型應用領域
權威文獻參考
空間電荷限制是物理學和半導體器件中的一個重要概念,主要指電荷在特定空間内的聚集對電流或電場産生的制約效應。以下是綜合解釋:
空間電荷限制指在某一區域内,由于電荷的積累形成空間電荷區,導緻載流子(如電子或離子)的遷移受到限制的現象。這種限制可能表現為電流無法隨電壓線性增加,或電荷密度達到臨界值後引發電場重新分布。
空間電荷密度 $rho$ 通常由以下公式描述: $$ rho = q left( p - n + N_d - N_a right) $$ 其中 $q$ 為電荷量,$p$ 和 $n$ 為空穴與電子濃度,$N_d$ 和 $N_a$ 為摻雜濃度。
後者是前者的具體表現,指當電流受限于空間電荷密度時,電流強度不再隨電壓線性增長,而是遵循特定規律(如平方關系)。
如需更深入的技術細節(如不同邊界條件下的數學模型),可參考半導體物理學相關文獻或學術數據庫。
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