
【計】 emitter injection
【電】 emitter
infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【計】 implanted
【化】 injection; pour into
【醫】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【經】 injection
射極注入(Emitter Injection)是雙極型晶體管(BJT)工作中的核心物理現象,指發射極區域向基區注入載流子的過程。該現象由發射結正向偏置觸發,具體表現為:在NPN型晶體管中,發射極高濃度摻雜的電子通過發射結注入基區;在PNP型晶體管中,空穴則以類似機理完成注入。此過程形成基極電流的主要組成部分,直接影響晶體管的電流放大系數β值。
根據IEEE電子器件協會的器件物理白皮書,射極注入效率主要受三個參數影響:
在實際電路設計中,工程師通過調整發射區幾何形狀(如梳狀或指狀結構)來優化注入效率。美國加州大學伯克利分校的《集成電路器件》課程實驗數據顯示,優化後的射極注入結構可使晶體管截止頻率提升30%以上。該理論已成為現代模拟電路設計基礎,廣泛應用于射頻放大器、功率調節器等電子系統。
“射極注入”是半導體器件(如晶體管)領域的技術術語,指晶體管發射極(Emitter)在正向偏置下向基區注入載流子的過程。以下是詳細解釋:
如需進一步了解晶體管結構或具體器件參數,可參考半導體物理相關教材或技術文檔。
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