隧道二極存儲器英文解釋翻譯、隧道二極存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 tunnel-diode memory

分詞翻譯：

隧道的英語翻譯：

tube; tunnel
【醫】 cuniculus; histosiphon; tunnel

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

隧道二極存儲器（Tunnel Diode Memory）是一種利用隧道二極管（Tunnel Diode）的負阻特性來實現信息存儲的半導體存儲器技術。以下是基于漢英詞典角度的詳細解釋：

術語構成與核心概念
- 隧道 (Tunnel / Tunneling)：指量子隧道效應（Quantum Tunneling Effect）。在半導體物理學中，當勢壘（如PN結耗盡層）足夠薄時，電子能夠以一定的概率穿越經典力學認為其無法越過的能量壁壘，這種現象稱為隧道效應。
- 二極 (Diode)：指二極管，一種具有單向導電特性的雙端半導體器件。這裡特指隧道二極管（Tunnel Diode），也稱為江崎二極管（Esaki Diode）。其核心特征是電流-電壓（I-V）特性曲線中存在一個負微分電阻區（Negative Differential Resistance Region, NDR），即在該區域内，電壓增加反而導緻電流減小。
- 存儲器 (Memory)：指用于存儲二進制數據（0和1）的電子器件或系統。
- 整體含義： “隧道二極存儲器”指利用隧道二極管的獨特負阻特性作為基本存儲單元（Memory Cell）來構建的存儲器。其工作原理依賴于隧道效應和由此産生的非線性I-V特性。
工作原理簡述隧道二極存儲器單元通常由一個隧道二極管和一個限流電阻（或另一個非線性元件）組成。利用隧道二極管I-V特性曲線上的兩個穩定工作點（通常位于負阻區兩側的低谷電壓和高峰電壓）來分别代表二進制狀态“0”和“1”。通過施加合適的讀寫脈沖電壓，可以使單元在這兩個穩定狀态之間切換，實現數據的寫入和讀取。
主要特點
- 高速性：由于隧道效應是量子過程，發生速度極快（皮秒量級），理論上隧道二極存儲器具有極高的開關速度和存取速度。
- 低功耗：工作電流相對較低。
- 抗輻射性：相比其他存儲器，對輻射環境有一定的耐受能力。
- 局限性：制造工藝複雜、成本高、存儲密度難以提高（集成度低）、工作電壓範圍窄、需要精确的驅動電路。這些因素限制了其大規模商業應用。
應用與現狀隧道二極存儲器主要應用于一些對速度要求極高、對功耗和抗輻射性有特殊需求的特殊領域（如航空航天、軍事電子系統中的高速緩存或寄存器文件）。由于其固有的局限性，在現代主流半導體存儲器（如SRAM, DRAM, Flash）中并未得到廣泛應用，更多是作為高速存儲技術的一種研究方向和特定場景下的補充。

權威性參考來源：

IEEE Xplore Digital Library：作為電氣電子工程師學會的文獻庫，包含大量關于隧道二極管物理、特性及存儲器應用的經典論文和技術報告。例如，可搜索江崎玲於奈（Leo Esaki）關于隧道二極管的原始論文以及後續關于隧道二極管存儲器的研究文獻。
Encyclopedia of Semiconductor Memory Technology (Springer)：此類專業百科全書會涵蓋隧道二極存儲器等非主流或曆史性存儲器技術的原理和概述。
半導體器件物理經典教材：如 S.M. Sze 的《Physics of Semiconductor Devices》或 Ben G. Streetman 的《Solid State Electronic Devices》等，在介紹隧道二極管章節時，通常會提及其在高速開關和存儲器方面的潛在應用。

“隧道二極存儲器”是一種利用隧道二極管（基于量子隧道效應并具有負阻特性）作為核心元件構建的高速、低功耗半導體存儲器。其工作原理依賴于在隧道二極管I-V特性曲線的兩個穩定電壓點之間切換來存儲二進制信息。雖然具有高速和低功耗的潛力，但由于制造難度、集成度限制和外圍電路複雜性等因素，其應用主要局限于特定高速或抗輻射需求的領域，而非消費電子市場的主流存儲器技術。

網絡擴展解釋

根據搜索信息和相關技術背景，“隧道二極存儲器”這一術語可能存在表述誤差或需進一步澄清。以下分部分解析：

隧道
在電子技術中，“隧道”通常指量子隧道效應，即微觀粒子穿透勢壘的現象（提到隧道的物理含義）。該效應應用于半導體器件，如隧道二極管（江崎二極管），用于高頻電路（需結合知識背景）。
二極
指二極管，由P型和N型半導體結合形成的電子元件，具有單向導電性。典型應用包括整流、信號調制等。
存儲器
存儲器是計算機中存儲數據的器件，分為内存（如RAM）和外存（如硬盤）（）。現代存儲器技術包括閃存（如SSD），利用隧道效應實現電荷存儲（如浮栅晶體管原理）。

綜合分析：
“隧道二極存儲器”可能指以下兩種技術之一：

隧道二極管相關存儲技術：曆史上未廣泛使用，但隧道二極管曾用于高速開關電路，可能與早期特殊存儲器設計相關。
基于隧道效應的存儲技術：如閃存利用Fowler-Nordheim隧穿效應擦寫數據，但通常稱為“閃存”而非此名稱。

建議：該術語可能為專業領域特殊用法，或存在拼寫誤差（例如“隧道二極管存儲器”或“隧道效應存儲器”）。如需更精準解釋，建議提供上下文或确認術語來源。