闩鎖位測試英文解釋翻譯、闩鎖位測試的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 latch bit test

分詞翻譯：

闩的英語翻譯：

bolt; crossbar; crosspiece; latch
【醫】 obex

鎖位的英語翻譯：

【計】 lock-up

測試的英語翻譯：

test; testing
【計】 T
【化】 measurement and test
【經】 test

專業解析

闩鎖位測試（Latch-Up Test）是集成電路可靠性評估中的關鍵檢測項目，主要用于驗證芯片在異常電壓或電流觸發下的抗闩鎖能力。該測試源于CMOS工藝器件中因寄生晶體管導通形成的低阻抗通路現象，可能引發電路功能異常或永久性損壞。

測試原理基于JEDEC JESD78标準，通過向器件引腳注入超出工作範圍的電流或電壓，模拟靜電放電（ESD）或電源瞬變等場景，檢測是否發生闩鎖效應。合格标準通常要求器件在測試後仍能維持正常電氣特性與功能參數。該測試在汽車電子、航空航天等高可靠性領域具有強制認證要求，相關數據需納入AEC-Q100等行業認證體系。

國際電工委員會（IEC）61249-2-21标準詳細規定了測試環境條件和失效判據，包括溫度循環、濕度控制等加速老化因子。測試設備需符合IEC 60749-20規範，确保測量結果的複現性與可比性。

網絡擴展解釋

“闩鎖位測試”這一表述可能存在術語混淆。根據行業常用定義和相關資料，更準确的術語應為闩鎖測試（Latch-up Test），它是半導體芯片可靠性測試的關鍵項目之一。以下是詳細解釋：

一、闩鎖效應（Latch-up）的定義

闩鎖效應是CMOS集成電路中的一種失效機制，由寄生雙極型晶體管（NPN和PNP）意外導通形成正反饋回路，導緻電源（VDD）與地（GND）之間産生低阻抗路徑，引發大電流流動。這種現象可能造成芯片功能異常、性能退化甚至永久性損壞。

二、闩鎖測試的目的

通過模拟極端電壓/電流條件，驗證芯片抵抗闩鎖效應的能力，确保其在異常工作環境下仍能保持穩定。測試需符合JEDEC、AEC-Q等國際标準。

三、測試關鍵參數

觸發條件
對芯片施加高于額定值的電壓或電流，觀察是否觸發闩鎖效應。
維持電壓/電流
測試闩鎖狀态下的最小維持電壓/電流，評估芯片自恢複能力。
寄生結構分析
需明确寄生晶體管（如PNP結構的發射極、基極、集電極）的物理布局，優化設計以降低風險。

四、與其他測試的區别

部分文獻提到的“闩鎖位測試”可能涉及内存單元中的位鎖定測試（如latch bit test），但該場景較少見。主流行業場景中，“闩鎖測試”特指針對CMOS芯片的抗闩鎖能力驗證。

如需了解具體測試流程或标準，可參考JESD78E（JEDEC标準）或聯繫檢測機構（如CTI華測檢測）獲取完整方案。