施體能階英文解釋翻譯、施體能階的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 donor level

分詞翻譯：

施的英語翻譯：

apply; bestow; carry out; execute; grant; use
【醫】 apply

體的英語翻譯：

body; style; substance; system
【計】 body
【醫】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-

能階的英語翻譯：

【電】 energy level

專業解析

"施體能階"是一個專業術語，尤其在半導體物理學和材料科學領域。它由兩個核心概念組成："施體"和"能階"。

施體：
- 漢語含義：指在半導體材料中，能夠提供額外電子（負電荷載流子）的雜質原子或缺陷。它使半導體材料的導電性增強（特别是N型半導體）。
- 英語對應：Donor。在英文文獻中，提供電子的雜質被稱為 "donor impurity" 或簡稱 "donor"。
- 作用機制：施體原子通常具有比半導體基質原子更多的價電子（例如，在矽中摻入磷P，磷有5個價電子，矽有4個）。這個多餘的電子在室溫下很容易脫離施體原子束縛，成為在導帶中自由移動的電子，參與導電。失去電子的施體原子成為帶正電的離子。
能階：
- 漢語含義：指量子力學系統中，粒子（如電子）所允許具有的、分立的、不連續的能量狀态。在固體物理中，能階通常擴展為能帶（valence band, conduction band）和存在于能帶間隙中的局域能級。
- 英語對應：Energy Level。在半導體物理中，雜質能級被稱為 "impurity energy level" 或 "impurity state"。
施體能階：
- 綜合含義： "施體能階" 特指由施體雜質在半導體禁帶（band gap）中引入的特定能量狀态（能級）。這個能級位于靠近導帶底（conduction band minimum）的位置。
- 英語對應：Donor Energy Level。
- 物理意義：施體雜質原子在晶格中引入一個局域的量子态。束縛在該施體原子上的電子（施體電子）就處在這個特定的施體能階上。這個能階的能量（Ed）低于導帶底的能量（Ec），其差值（Ec - Ed）稱為施體電離能（donor ionization energy）。在絕對零度時，電子占據施體能階。當溫度升高或獲得足夠能量（如熱能、光能）時，電子可以從施體能階躍遷到導帶，成為自由電子，留下一個帶正電的、不可移動的施體離子。這個過程稱為施體電離。
- 重要性：施體能階的位置（即其電離能的大小）決定了在特定溫度下有多少施體雜質被電離，從而提供多少自由電子，這直接關系到半導體的電導率（尤其是N型半導體的電子濃度）。

"施體能階" (Donor Energy Level) 是指半導體中摻入的施體雜質原子在禁帶内靠近導帶底處形成的局域能量狀态。處于該能階上的電子（施體電子）在獲得足夠能量後，容易躍遷到導帶成為自由電子，從而增加半導體的電子導電性。

參考來源說明： "施體能階"是半導體物理學中的核心概念，其定義和解釋可在标準的半導體物理教材或權威百科全書中找到。例如：

《半導體物理學》（劉恩科等編著）詳細讨論了雜質能級，包括施體能階的形成、位置及其對半導體導電性的影響。
維基百科相關條目（如 "Donor (semiconductors)", "Doping (semiconductor)", "Energy level"）提供了基礎定義和背景知識。由于該術語是領域内标準術語，其解釋具有廣泛共識。

網絡擴展解釋

“施體能階”是一個專業術語，其解釋需結合電學領域的背景知識，以下是詳細分析：

一、術語構成解析

施體（Donor）
在半導體物理中，指能夠提供電子的雜質原子（如磷摻入矽中）。這裡的“施”取自“施予”含義，對應英文“donor”（施主）。
能階（Energy Level）
指電子在原子或晶體中占據的量子化能量狀态，中文常稱“能級”。其中“階”表示層級結構，如台階般區分不同能量狀态。

二、整體含義

施體能階（Donor Level）
特指半導體中施主雜質原子在禁帶内形成的局部能級，該能級靠近導帶底，可向半導體提供自由電子，形成N型半導體。

三、應用領域

主要用于半導體物理與電子工程領域，涉及晶體管、太陽能電池等器件的材料設計。例如：磷摻雜矽的施體能級約為導帶下方0.045 eV。

提示：該術語屬于高度專業化詞彙，建議通過教材或學術文獻（如《半導體物理學》）進一步了解其數學模型與具體應用場景。