valence band是什麼意思，valence band的意思翻譯、用法、同義詞、例句

常用詞典

[物化] 價帶

例句

The bent bond states mainly appear near the top of valence band.

彎鍵态主要出現在價帶頂附近。

When an electron leaps into the conduction band, it leaves behind a hole in the valence band.

當一個電子躍遷到傳導帶，它會在價帶留下一個“凹陷”。

The experimental result, show an increase of both conduction and valence band tail states.

實驗結果表明：光照以後，導帶尾态和價帶尾态都增加了。

Most optical oscillator strengths for the transitions between valence band and conduction band are nearly equal to zero.

價帶頂和導帶底附近的帶間躍遷振子強度大部分都近乎為零；

This paper gives a simplified calculation of the valence band structure for a diamond-type crystal in nearest neighbor approximation.

用最近鄰近似法對金剛石型晶體的價帶給出了一種簡化的計算法。

專業解析

在固體物理學中，"價帶"（valence band）是描述材料電子能級結構的重要概念。該術語由量子力學能帶理論發展而來，指晶體中原子最外層電子（價電子）所占據的能量範圍。根據美國國家标準技術研究院（NIST）的定義，價帶與更高能量的導帶（conduction band）之間存在能隙（band gap），該能隙寬度直接決定材料的導電特性。

價帶的形成源于原子間的軌道重疊效應。當單個原子聚集形成晶體時，其離散的原子軌道會分裂成密集的能級，構成連續的能帶。價帶頂部的電子需要獲得足夠能量才能躍遷至導帶，從而實現導電。在半導體材料中（如矽），價帶與導帶間的能隙約為1eV，這解釋了半導體在常溫下的弱導電性特征。

材料科學領域将價帶位置作為分類依據：

導體：價帶與導帶重疊（如銅）
絕緣體：能隙超過5eV（如金剛石）
半導體：能隙在1-3eV區間（如鍺）

英國皇家化學會（RSC）的研究表明，通過摻雜工藝改變價帶電子濃度是制造晶體管等電子器件的物理基礎。這種能帶理論已成為現代微電子學、光電子器件設計的核心理論框架。

網絡擴展資料

Valence Band（價帶）是固體物理學和材料科學中的重要概念，指固體材料中電子能帶結構的一部分。以下是詳細解釋：

基本定義
價帶是固體中能量最高的、被電子完全占據的能帶。它由原子的價電子（參與化學鍵的電子）能級擴展形成，通常位于導帶（Conduction Band）下方。在絕緣體和半導體中，價帶與導帶之間存在禁帶（Band Gap）。
電子行為與功能
- 價帶中的電子通常處于束縛狀态，無法自由移動，因此不直接參與導電。
- 這些電子是化學反應的主要參與者，決定了材料的化學性質（如鍵合方式）。
- 當外界提供足夠能量（如熱、光）時，電子可從價帶躍遷至導帶，形成電流（如半導體導電的原理）。
相關概念對比
- 導帶（Conduction Band）：未被填滿的能帶，電子可自由移動并導電。
- 禁帶（Band Gap）：價帶與導帶之間的能量間隙，決定材料的導電性（金屬無禁帶，半導體禁帶較小，絕緣體禁帶較大）。
應用領域
價帶理論廣泛應用于半導體器件設計、光電材料開發（如太陽能電池）以及化學鍵合機制研究。

價帶是固體材料中由價電子占據的最高能帶，其電子狀态直接影響材料的電學和化學性質。如需進一步了解能帶結構，可參考固體物理或材料科學相關文獻。

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