
量子井
The polaron effects on excitons in a parabolic quantum well are stu***d.
研究了抛物阱中極化子效應對激子的影響。
This state corresponds to a lowest energy state in the first quantum well.
此狀态對應第一個量子阱的最低能态。
The polarization eigcnfrequencies of symmetric and unsymmetric quantum well are given.
以及對稱和非對稱量子阱中面聲子的色散曲線。
Silicon nitride can be used to grow quantum well for obtaining blue laser by dopanting.
氮化矽可以通過適當摻雜引入雜質能級,用于制造量子阱獲得藍光激光。
The additional upper state is created by a first quantum well adjacent to the injection barrier.
新增高能态是通過注入式勢壘旁第一個量子阱來創建的。
量子阱(Quantum Well)是一種納米尺度的半導體異質結構,由兩種不同能隙的材料交替堆疊形成,其中窄能隙材料被夾在寬能隙材料之間,形成類似“阱”的勢能結構。其核心原理是量子力學中的“量子限制效應”:當電子或空穴被限制在遠小于其德布羅意波長的維度(通常為1-20納米)時,其能量狀态會從連續譜分裂為離散的子能級。以下是詳細解釋:
能帶工程
量子阱通常由Ⅲ-Ⅴ族(如GaAs/AlGaAs)或Ⅱ-Ⅵ族(如CdTe/HgCdTe)半導體構成。以GaAs/AlGaAs為例,GaAs的能隙(~1.42 eV)小于AlGaAs(~1.8 eV),電子在GaAs層中會感受到兩側AlGaAs勢壘的約束,形成沿生長方向(z軸)的勢阱,而在xy平面内可自由運動。
量子化能級
電子的波函數在z方向受限,能量狀态分裂為離散的子能帶(Subbands),能量公式為:
$$ E_n = Ec + frac{hbar k{xy}}{2m^} + frac{hbar pi n}{2m^ L_z} quad (n=1,2,3,...) $$
其中 (L_z) 為阱寬,(m^*) 為有效質量。空穴同理,但因有效質量較大,能級間隔更小。
利用子能級間粒子數反轉實現低阈值電流、高功率激光輸出,廣泛應用于光纖通信(如1550 nm波段InGaAsP/InP量子阱)。
基于子能帶躍遷(ISBT)的量子阱紅外探測器(QWIP),可探測中遠紅外波段,用于熱成像與遙感。
調制摻雜量子阱中電子與電離雜質空間分離,實現超高遷移率,提升高頻器件性能。
關于“quantum well”的詳細解釋如下:
1. 基本定義
Quantum well(量子阱)是納米尺度的半導體結構,由不同能帶隙的材料堆疊而成。其核心特征是:窄帶隙材料被夾在兩個寬帶隙材料之間,形成一個勢能較低的“阱”,限制電子或空穴在二維平面内運動。這一結構因量子限制效應(quantum confinement)而得名,微觀粒子在該維度上的運動呈現量子化能級。
2. 物理特性與結構
3. 應用領域
量子阱是光電子器件的核心結構之一,例如:
4. 擴展類型
若需了解具體器件設計或數學推導(如薛定谔方程求解),可進一步查閱半導體物理或量子力學教材。
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