[電子] 氧化物半導體
A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
一種制造金屬氧化物半導體的方法(500)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
将金屬氧化物半導體的栅極構造蝕刻(510)。
High mobility P-channel power metal oxide semiconductor field effect transistors.
高遷移率的P -溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。
The oxygen-sensitive characters of metal-oxide semiconductor oxygen sensor is re-ported.
研究了一種氧化物半導體型氧敏元件的氧敏特性。
The oxygen - sensitive characters of metal - oxide semiconductor oxygensensor is re - ported.
研究了一種氧化物半導體型氧敏元件的氧敏特性。
氧化物半導體（Oxide Semiconductor） 是指以金屬氧化物為主要成分，并表現出半導體特性的材料。這類材料通常具備獨特的電學、光學或磁學性質，在現代電子器件中扮演着至關重要的角色。其核心在于金屬氧化物（如氧化鋅ZnO、氧化铟镓鋅IGZO、氧化铟錫ITO等）在特定條件下能像傳統半導體（如矽Si）一樣，通過控制其載流子（電子或空穴）濃度來實現導電性的調制。以下是其關鍵特性與應用：
寬禁帶寬度
多數氧化物半導體（如ZnO、IGZO）具有較寬的禁帶寬度（通常 > 3 eV），遠高于矽（1.1 eV）。這使得它們具備高透光性（適用于透明電子器件）、高擊穿電場強度（耐高壓）和低漏電流特性。
來源：IEEE電子器件學會技術報告《Wide-Bandgap Semiconductor Materials》
高載流子遷移率
部分氧化物半導體（如IGZO）在非晶态下仍保有較高電子遷移率（可達10–50 cm²/V·s），優于傳統非晶矽（<1 cm²/V·s），使其成為高性能薄膜晶體管（TFT）的理想材料。
來源：Nature Reviews Materials綜述《Amorphous oxide semiconductors》
可低溫制備
氧化物半導體可通過濺射、溶液法等工藝在低溫（<400°C）下沉積，兼容柔性塑料基闆（如PET），推動柔性電子與可穿戴設備發展。
來源：ACS Applied Materials & Interfaces期刊研究《Low-Temperature Processed Oxide Semiconductors》
顯示技術
IGZO-TFT 廣泛應用于高清液晶顯示屏（LCD）和有機發光二極管（OLED）面闆的背闆驅動電路，因其高遷移率可縮小晶體管尺寸，提升像素密度與能效。
來源：SID（國際信息顯示學會）技術白皮書《IGZO Technology for AMOLED Displays》
透明電子器件
ITO（氧化铟錫）作為透明導電氧化物（TCO），用于觸摸屏、太陽能電池電極等，兼具高導電性與可見光區透光率（>85%）。
來源：MRS Bulletin綜述《Transparent Conducting Oxides》
新型存儲器與傳感器
某些氧化物（如氧化铪HfO₂）具有鐵電性，可用于制造鐵電場效應晶體管（FeFET），提升非易失性存儲器的速度和耐久性。此外，ZnO等材料的氣敏特性被用于氣體傳感器。
來源：Advanced Electronic Materials期刊《Ferroelectricity in Hafnium Oxide-Based Materials》
盡管優勢顯著，氧化物半導體仍面臨均勻性控制（大面積制備）、穩定性（長時間工作下的阈值電壓漂移）及P型材料稀缺（多數為N型）等挑戰。當前研究聚焦于材料摻雜（如摻锂提升ZnO的P型導電性）、異質結構設計（如ZnO/GaN界面工程）以拓展其功能邊界。
來源：Science期刊展望《The future of oxide electronics》
如需深入技術參數或最新進展，建議查閱IEEE Xplore、Nature Materials等權威期刊數據庫。
oxide semiconductor 的詳細解釋
1. 術語分解
2. Oxide Semiconductor 的定義
指具有半導體特性的氧化物材料，例如氧化鋅（ZnO）、氧化錫（SnO₂）、氧化銅（CuO）等。這類材料通常表現出電阻隨溫度、光照或電場變化的特性，廣泛用于傳感器、電子器件等領域（）。
3. 主要應用與技術
4. 物理特性與優勢
5. 典型示例
總結
“Oxide semiconductor”結合了氧化物的化學穩定性和半導體的電學可控性，是電子工業中傳感器、集成電路及光電器件的重要材料（）。
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