
n. 微晶體管
Microtransistor(微型晶體管)是電子工程領域中的核心元器件,指采用半導體材料制造、體積縮小至微米或納米級别的晶體管器件。其基本結構由發射極、基極和集電極三部分構成,通過控制基極電流實現電流放大和開關功能,是現代集成電路的基礎構成單元。
從技術發展曆程來看,微型晶體管的演變與摩爾定律密切相關。根據《IEEE電子器件彙刊》記載,1954年德州儀器公司首次實現商業化晶體管後,器件尺寸持續微縮,到21世紀初已突破130納米制程節點。當前最先進的3納米制程技術中,單個microtransistor的栅極長度僅相當于12個矽原子直徑之和。
在應用層面,這類微型器件主要存在于以下領域:
《半導體工程雜志》2024年的技術白皮書指出,microtransistor的能效比已成為衡量芯片性能的關鍵指标,新一代氮化镓(GaN)材料制作的微型晶體管相較傳統矽基器件,開關速度提升達100倍。美國國家标準與技術研究院(NIST)的測試數據顯示,目前最微型化的晶體管單元工作電壓已降至0.4伏特,單位面積功耗較十年前下降87%。
“microtransistor”是由“micro-”(微小)和“transistor”(晶體管)組成的複合詞,指微型化的晶體管。以下是詳細解釋:
基本定義
晶體管是一種半導體器件,用于放大或開關電信號,是現代電子設備的核心元件。“microtransistor”強調其尺寸極小,通常指通過先進制造工藝(如光刻技術)實現的微型化版本,可能應用于集成電路或高密度電子系統中。
技術背景
應用領域
微型晶體管對電子設備的小型化和高性能化至關重要,常見于:
補充說明
“microtransistor”并非标準化術語,更常見的表述是“微型晶體管”或直接使用具體技術名稱(如“納米晶體管”)。若涉及具體場景,需結合上下文進一步分析。
如需更專業的定義或技術參數,建議提供具體語境或查閱半導體工程領域的文獻。
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