
[電子] 微缺陷
The results show that the crack and the hole are the primary microdefect of fracture.
研究表明,“沿晶”、“多邊化”和“扇形解理花樣”是稀土锆合金斷口最常見的微觀形貌特征;
Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films.
而退火對降低薄膜的微缺陷密度和吸收較有效。
Experimental results show that the microdefect in the alloys can improve the properties of the alloys apparently.
結果表明,合金微觀缺陷的存在能大幅度提高金的性能。
microdefect(微缺陷)指材料内部尺寸在微米(µm)或納米(nm)級别的微小缺陷或瑕疵。這類缺陷通常無法通過肉眼或常規光學顯微鏡直接觀測,需借助電子顯微鏡(如SEM、TEM)或X射線衍射等精密儀器檢測。在材料科學與工程領域,微缺陷對材料的物理、化學及機械性能有顯著影響,尤其在半導體、金屬合金和高性能陶瓷等關鍵材料中至關重要。
尺度範圍
微缺陷的典型尺寸介于納米至微米級(約1 nm–100 µm),介于原子級點缺陷(如空位、間隙原子)與宏觀缺陷(如裂紋、孔洞)之間。
主要類型
半導體制造
矽晶圓中的微缺陷(如COP晶體原生顆粒缺陷)是制約芯片制程節點縮小的關鍵因素。通過退火工藝抑制微缺陷生成,是提升28nm以下先進制程良率的核心技術 。
航空航天材料
渦輪葉片高溫合金中的微缺陷(如γ'相界面錯配)直接影響蠕變抗力,需通過熱等靜壓(HIP)處理閉合微孔洞以延長部件壽命 。
将微缺陷定義為“尺寸小于100µm且深度超過表面粗糙度的亞表面損傷”,是評估光學元件加工質量的核心指标。
William D. Callister在《Materials Science and Engineering: An Introduction》中強調,微缺陷是“決定材料失效行為的微觀結構控制要素”。
來源說明
半導體缺陷工程權威期刊 Journal of Applied Physics 關于矽微缺陷的綜述
美國材料試驗協會(ASTM)标準E647關于疲勞裂紋擴展的測試規範
國際半導體技術路線圖(ITRS)報告:晶圓缺陷控制章節
美國航空航天局(NASA)材料數據庫對高溫合金微缺陷的研究公報
“microdefect”是由前綴micro-(微小的)和名詞defect(缺陷)組合而成的複合詞,其核心含義為微觀缺陷或微缺陷。以下是詳細解析:
若需更深入的行業應用案例,可參考材料科學或半導體領域的專業文獻。
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