[電子] 輝光放電
The ******st discharge to produce is the glow discharge.
最簡單的放電産生方法是輝光放電。
Amorphous silicon films were fabricated with a dc glow discharge system.
本文介紹用直流輝光放電裝置制備非晶矽薄膜。
Contact glow discharge electrolysis is a novel type of electrochemical process.
接觸輝光放電電解是一種新型的産生等離子體的電化學方法。
In this paper, a glow discharge plasma source ion implantation technique is described.
本文叙述了輝光放電等離子體源的等離子體源離子注入。
Glow discharge excitation source is one of the main focuses in the research of GD-OES.
輝光光譜儀激發源是輝光光譜儀技術研究的主要熱點之一。
輝光放電（Glow Discharge）是一種在低壓氣體中施加直流或交流電場時産生的自持放電現象，其典型特征是發出柔和、均勻的輝光。以下是其詳細解釋：
輝光放電發生在氣壓較低（通常0.1–10 Torr）且電壓適中的條件下。當電極間電場強度達到氣體擊穿阈值時，氣體分子被電離形成等離子體，電子與離子在電場中加速并碰撞中性粒子，産生持續的電離過程。其核心特征包括：
輝光放電的形成分為以下階段：
放電區域從陰極到陽極分為：
權威參考來源：
（注：實際引用時請替換為具體文獻鍊接，此處為格式示例）
輝光放電（glow discharge）是一種在低壓氣體中發生的氣體放電現象，屬于自持放電（無需外部電離源維持）。以下是其詳細解釋：
輝光放電是稀薄氣體中的自激導電現象，由法拉第于19世紀首次發現。其主要特征包括：
輝光放電包含兩個過渡階段：
注：如需更深入的機制（如具體電壓-電流特性曲線）或擴展應用，建議參考物理學教材或專業文獻。
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