
abbr. 電可擦隻讀存儲器(Electrically Erasable Read-Only Memory)
This paper introduces a method of rectifying data in RAM or EEROM, which makes use of CRC and multiple data redundancy.
介紹了采用CRC校驗與多重數據冗餘結合實現RAM、EEROM數據糾錯的方法。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),中文譯為電可擦除可編程隻讀存儲器,是一種重要的非易失性半導體存儲器件。
其核心特點和工作原理如下:
非易失性 (Non-Volatile):與RAM(隨機存取存儲器)不同,EEPROM在斷電後仍能長期保留存儲的數據信息。這使得它非常適合存儲需要長期保存且不經常修改的配置參數、校準數據或小型程式代碼。
電可擦除與可編程 (Electrically Erasable and Programmable):這是EEPROM區别于早期PROM(可編程隻讀存儲器)和EPROM(紫外線可擦除可編程隻讀存儲器)的關鍵特性。EEPROM可以通過施加特定的電壓脈沖(通常高于其正常工作電壓)來擦除存儲單元的内容(通常以字節或塊為單位),并寫入新的數據。這個過程可以在電路闆上直接進行,無需将芯片從設備上取下或使用紫外線照射等特殊設備。
工作原理 - 浮栅晶體管 (Floating Gate Transistor):EEPROM的每個存儲單元通常基于浮栅MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)結構。寫入數據時,通過施加高電壓使電荷穿過絕緣層注入到浮栅中;擦除數據時,則施加反向電壓或利用隧道效應将浮栅上的電荷移走。浮栅上有無電荷(或電荷量)決定了晶體管的阈值電壓,進而代表存儲的數據是“0”還是“1”。
主要特點:
典型應用場景:EEPROM廣泛應用于各種電子設備中,用于存儲:
簡而言之,EEPROM是一種能夠通過電信號多次擦除和重新寫入數據的非易失性存儲器,因其可字節尋址修改的特性,在需要存儲小量且需偶爾更新數據的場合發揮着重要作用。
EEROM(Electronically Erasable Read-Only Memory)是“電可擦隻讀存儲器”的英文縮寫,屬于非易失性存儲器的一種。以下是綜合多個來源的關鍵解析:
基本定義
EEROM通過電子信號擦除和改寫數據,且斷電後仍能長期保存數據。其名稱中的“隻讀”指數據寫入後通常用于讀取,但可通過特定電壓或操作進行修改。
與相關術語的區分
主要特性
術語使用注意
實際工程中,“EEPROM”更為通用,而“EEROM”可能是早期術語或非标準縮寫,需結合上下文确認具體定義。
提示:若需技術文檔參考,建議優先查閱“EEPROM”相關标準資料,避免術語歧義。
aluminiumconsequentimplicitfrom generation to generationclavicleurticariabatistebustupclarifyingCRfelledoffertorysorreltremulousnessuronacquaintance withbattery packclass definitiondangerous drivingdeputy mayorgo on errandsharmful bacteriaillegal immigrantRick Wagonerscript editorsour waterBembergdeclensionIctidosauriamangankoninckite