摻雜密度，摻雜濃度
It is found that there is a threshold energy density in laser doping, and distributions of dopant density and depth have relation to preheat temperature and plating layer thickness of the impurities.
激光摻雜存在一個阈值能量密度。摻雜濃度和深度的分布與預熱溫度和雜質鍍層厚度有關。
Doping can excite a charge density wave weakening the spin density wave against the stability of the ferromagnetic state.
摻雜能激發電荷密度波，從而削弱了自旋密度波，最終不利于鐵磁态的穩定。
By analyzing the density of states and electron density of doping metal, Fe atom doping can influence the band structure of kaolinite.
從摻雜金屬元素的态密度和電荷密度分析，鐵元素進入後會影響到高嶺石的能帶結構。
The influence of Mg concentration in doping on phase matching temperature, phase matching Angle, optical homogeneity, lattice parameter and density of the crystal is also stated.
摻鎂濃度對晶體相匹配溫度、相匹配角、光學均勻性、點陣常數和密度的影響。
With the increase of molding pressure, holding pressure for certain time and adding a certain amount of boric acid doping, the compact density and saturation magnetization correspondingly increase.
隨成型壓力的增加，當保壓一定時間、添加一定量助燒劑時，生坯密度隨之增加，飽和磁化強度也相應提高。
|dosage concentration;摻雜密度，摻雜濃度
摻雜濃度（Doping Density） 是半導體物理學中的核心參數，指在半導體本征材料（如矽、鍺）中有意摻入雜質原子的密度。這些雜質原子通過提供額外電子或空穴，顯著改變半導體的電導率，使其成為制造晶體管、二極管等電子器件的關鍵材料。其核心含義與重要性如下：
摻雜濃度表示單位體積半導體中摻入的雜質原子數量，标準單位為cm⁻³（每立方厘米的原子數）。根據雜質類型分為：
示例：矽中摻入磷原子濃度為 10¹⁷ cm⁻³，意味着每立方厘米有 100,000,000,000,000 個磷原子。
在室溫下，電離的雜質原子濃度近似等于多數載流子濃度：
關鍵公式：電導率 $sigma = q(mu_n n + mu_p p)$
（$q$ 為電子電荷，$mu$ 為載流子遷移率）
器件性能調控
摻雜濃度直接決定半導體電阻率。例如：
PN結特性
耗盡層寬度 $W$ 與摻雜濃度成反比：
$$ W propto sqrt{frac{1}{N_A} + frac{1}{N_D}} $$
溫度依賴性
高溫下本征載流子濃度增加，可能導緻摻雜失效（>150°C 時器件性能退化）。
“Doping density”是材料科學和半導體物理領域的專業術語，其含義和用法如下：
“Doping density”即摻雜密度，表示半導體中每單位體積所含摻雜原子的數量。例如，矽片中摻入1×10¹⁶/cm³的硼原子，其摻雜密度直接影響材料的導電類型（P型/N型）和電阻率。
在超晶格材料中，摻雜密度的變化會顯著改變電子分布，進而影響器件的光電響應特性。例如，提高摻雜密度可能增強半導體的載流子遷移率，但過高濃度會導緻晶格缺陷。
需注意與體育領域中的“doping”（興奮劑）區分，後者特指違規使用藥物提升運動表現。在學術語境下默認指材料摻雜。
如需更詳細的理論模型，可參考半導體物理教材中關于摻雜濃度與電導率關系的公式： $$ sigma = q(nmu_n + pmu_p) $$ 其中$sigma$為電導率，$q$為電子電荷，$n/p$為電子/空穴濃度，$mu_n/mu_p$為遷移率。
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