消耗因數（介質損耗角）
Extremely low dissipation factor, high stability.
低損耗角正切，高穩定的性能。
Low leakage current, low dissipation factor, high stability.
産品漏電流小，損耗小，性能穩定。
High stability, low dissipation factor, low leakage current.
高穩定，損耗小，漏電流小。
But it has better ripple current and dissipation factor characteristic.
但它能夠更好的濾波和更低的耗散因數。
Low dissipation factor, high ripple current. Used in speaker dividing network circuits.
低損耗角正切，高紋波電流。適用于音頻網絡分頻電路。
損耗因子（Dissipation Factor）是電氣工程和材料科學中的關鍵參數，用于量化介電材料在交變電場作用下的能量損耗特性。其定義為介質損耗角正切值（tanδ），即材料的有功功率（能量損耗）與無功功率（儲能能力）的比值，數學表達式為：
$$
text{DF} = tandelta = frac{varepsilon''}{varepsilon'}
$$
其中，$varepsilon''$為介電損耗因數，$varepsilon'$為介電常數實部。
該參數在電容器、絕緣系統和高頻電路設計中尤為重要。例如，低損耗因子的材料可減少電容器運行時因極化弛豫和電導效應導緻的發熱，從而提升設備效率。國際電工委員會（IEC）在标準IEC 60250中規定了介質損耗因子的測試方法，要求采用西林電橋法測量材料在特定頻率和溫度下的損耗特性。
影響損耗因子的主要因素包括材料分子結構（如極性分子增加損耗）、工作頻率（高頻導緻損耗升高）以及環境溫度（溫升加劇分子熱運動）。美國材料與試驗協會（ASTM）在ASTM D150标準中詳細規範了固體電絕緣材料的介電性能測試條件。
工業應用中，聚丙烯（DF≈0.0002）等低損耗材料常用于高頻電容器，而環氧樹脂（DF≈0.02）多用于中低頻絕緣場景。英國國家物理實驗室（NPL）的研究表明，納米摻雜技術可将陶瓷介質損耗因子降低40%，這為5G通信設備的小型化提供了材料基礎。
Dissipation Factor（耗散因數）是工程和材料科學中的專業術語，具體解釋如下：
Dissipation Factor（DF）指材料在交變電場中能量損耗與存儲能量的比值，常用符號為tanδ（損耗角正切值）。其數學表達式為： $$ tanδ = frac{text{能量損耗功率}}{text{存儲能量功率}} $$ 這反映了材料在電磁場作用下的能量轉換效率。
測量方法包括介質損耗儀，結果可用于評估材料老化、含水率等（例：變壓器油檢測）。
在非技術語境中，"dissipation"單獨使用時可能指能量消散、浪費或放蕩行為（如：熱量耗散或生活揮霍），但作為專業術語時僅與能量損耗相關。
如需更深入的技術參數或應用案例，可參考電子工程手冊或材料特性數據庫。
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