
[電子] 位錯密度;差排密度
The dislocation density is low in the nugget zone.
焊核區晶内有少量位錯。
A main dislocation band with high dislocation density in the plastic zone was found.
在塑性區内存在高位錯密度的主位錯帶。
EM observations indicate that the dislocation density is very low in the ELO reg ion.
透射電子顯微鏡的觀測表明在ELO範圍内位錯密度很低。
The deformation dislocation density and martensite microstructure were also analysed by TEM.
采用TEM對形變位錯密度以及馬氏體組織進行了分析。
These results show that reducing the threading dislocation density extends the lifetime of LD.
這些結果表明,螺旋位錯密度的降低延長了激光二極管的壽命。
位錯密度(Dislocation Density) 是材料科學中描述晶體缺陷的重要概念,指單位體積晶體材料内位錯線的總長度。其标準單位為每平方米(m⁻²),計算公式可表示為:
$$ rho = frac{L}{V} $$
其中:
材料強度的決定性因素
位錯密度直接影響金屬與合金的力學性能。根據位錯強化理論(Taylor公式),材料的屈服強度 $sigma_y$ 與位錯密度 $rho$ 的關系可表述為:
$$ sigma_y = sigma_0 + alpha G b sqrt{rho} $$
其中 $sigma_0$ 為晶格摩擦應力,$G$ 為剪切模量,$b$ 為伯格斯矢量,$alpha$ 為材料常數。高位錯密度阻礙位錯運動,從而提升材料強度。
塑性變形機制的表征
晶體塑性變形通過位錯滑移實現。變形過程中位錯增殖(如Frank-Read源機制)會導緻位錯密度顯著增加。退火态金屬的位錯密度約為 $10^{10}$ m⁻²,而劇烈冷變形後可達 $10^{16}$ m⁻²。
微觀結構的量化指标
通過透射電子顯微鏡(TEM)或X射線衍射(XRD)可測量位錯密度,進而分析材料加工硬化、再結晶行為及疲勞損傷演化。例如,高溫合金中位錯密度的分布可揭示蠕變機制。
(經典教材系統闡述位錯密度與力學性能關系)
(詳述位錯密度在變形機制中的數學模型)
(行業标準中間接評估位錯密度的實驗方法)
位錯密度作為連接微觀缺陷與宏觀性能的關鍵參數,是材料設計與性能優化的重要依據。
Dislocation density(位錯密度)是材料科學中的重要概念,指單位體積材料内位錯線的總長度,通常以$rho = frac{L}{V}$表示($L$為位錯線總長度,$V$為體積)。其核心含義及要點如下:
“Dislocation”在醫學中表示“脫臼”,但在材料科學中專指晶體缺陷,需注意語境區分。
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